目前研究較多的光催化材料多是以二氧化鈦為主的氧化物半導體,這些材料的禁帶寬度較大,對太陽光的利用率較低。四元硫化物半導體光催化材料--銅鋅錫硫（Cu₂ZnSnS₄或CZTS）是一種對可見光響應的四元半導體光催化材料,禁帶寬度約為1.5 eV。實驗旨在制備出一種成本較低,光催化性能較好的Cu₂ZnSnS₄光催化材料,并通過X射線衍射儀、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡、拉曼光譜和X射線光電子能譜儀等對所制備材料的物相結(jié)構(gòu)、微觀形貌及元素價態(tài)進行表征。主要內(nèi)容如下:采用一步水熱法,通過控制反應條件制備光催化性能較好的Cu₂ZnSnS₄光催化材料。結(jié)果表明:在反應溫度T=180℃、反應時間t=8 h、溶液pH=2.5、原料Cu:（Zn+Sn）=1.0時所制備的材料,經(jīng)過60 min的LED光照射后,降解羅丹明B的效率約為99%。采用兩步水熱法通過控制Cu₂ZnSnS₄的加入量制備Cu₂ZnSnS

【文章來源】：華北理工大學河北省

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

半導體光催化水解制氫機理圖

GC2002 上海熱法、兩步水熱法及超聲噴霧熱解法制備及流程如下所述。錫硫光催化材料錫硫光催化材料流程如圖 3 所示。對材料度 T、反應時間 t、溶液 pH 值及原料 C 0.6819 g 氯化銅（CuCl2·2H2O）溶于 70 氯化鋅（ZnCl2）和 0.4513 g 氯化亞錫（0 min；再加入 1.9214 g 硫化鈉（Na2S·9（EDTA-2Na）；水熱反應后洗滌、干燥得

244422TAZnEDTASnEDTANaSCSnEDTASnEDTAZnEDTAZnEDTA nnnnnnn備銅鋅錫硫/硫化鎘復合光催化材料制備銅鋅錫硫-硫化鎘復合光催化材料，.1 g，0.2 g，0.3 g，0.4 g，0.5 g）的 CZT放入 70 mL 水中攪拌 30 min，再超聲 30.6813 g 硫化鈉，充分攪拌 15 min 后，超0℃下反應 12 h，控制轉(zhuǎn)速為 15 r/min；將圖所示：

【參考文獻】：
期刊論文
[1]五氧化二鈮納米棒合成及其光催化性能[J]. 安其爾,吳俊書,王金淑.  粉末冶金技術(shù). 2014(01)
[2]鋅卟啉敏化TiO2光催化劑的原位法制備及其光催化性能研究[J]. 鈕金芬,姚秉華,余曉皎,彭超,路蕾蕾.  功能材料. 2013(08)
[3]Fe3+摻雜納米TiO2的表征及其光催化性能的研究[J]. 劉楨,鮑治宇,董延茂,盧斌.  安徽農(nóng)業(yè)科學. 2011(19)
[4]鎢摻雜金紅石型二氧化鈦的光催化分解水析氧活性[J]. 吳道新,陳啟元,李潔,尹周瀾,夏暢斌.  中國有色金屬學報. 2010(04)

博士論文
[1]異質(zhì)結(jié)光催化劑界面電子遷移的調(diào)控方法及光催化特性[D]. 李厚芬.大連理工大學 2016
[2]基于第一性原理的Ta3N5光催化材料的缺陷研究[D]. 王家佳.南京大學 2014

碩士論文
[1]金屬卟啉修飾的二氧化鈦電極制備及其在光電催化二氧化碳還原中的應用[D]. 董亞鵬.蘭州大學 2018
[2]銅鋅錫硫光催化產(chǎn)氫及光降解羅丹明B的應用研究[D]. 王繼磊.河南大學 2017
[3]銅鋅錫硫納米粒子的合成及可見光降解有機物和水解制氫性能研究[D]. 張平安.電子科技大學 2015



本文編號：3319563