近年來,太陽能光催化制氫技術成為解決當前環(huán)境污染和能源危機問題的核心關鍵技術。然而,對整個光電催化分解水系統(tǒng)來說,其面臨的最大的挑戰(zhàn)就是尋找高效、化學性質(zhì)穩(wěn)定、地球儲量豐富、禁帶寬度適中的半導體材料。該領域研究人員不斷嘗試和探索新的方法來設計高效穩(wěn)定的光電化學系統(tǒng)。金屬硫化物半導體由于其較高的光吸收效率和合適的禁帶寬度在整個光電催化領域有著廣闊的應用前景。其中CuSbS₂和Cu₂ZnSnS₄半導體由于其合適的禁帶寬度、較高的光吸收因子、低毒、廉價以及地球儲量豐富等優(yōu)點成為整個光電催化領域倍受矚目的光吸收材料。盡管它們做為光陰極制氫已有報道,但是該材料做為光陽極目前報道非常稀少。另外,如何制備出一種完美接觸的p-n異質(zhì)結是進一步提升電極性能的關鍵所在。在本論文中,我們重點研究了CuSbS₂和Cu₂ZnSnS₄光電極的制備、表征及可見光照射下光解水產(chǎn)氫的性能。本論文的主要研究工作如下:（1）以氧化鋅納米線陣列為底層模板,然后采用非水溶液電沉積法在其表面沉積上一... 

【文章來源】：華南理工大學廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：85 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

由TiO2電極和鉑黑電極組成的電化學電池系統(tǒng)

半導體光催化反應機理圖

圖1-2 半導體光催化反應機理圖Figure 1-2 Mechanism diagram of photocatalytic reaction using semiconductor圖1-3 光照條件下半導體光催化劑載流子的遷移過程Figure 1-3 Separation and transportation of photo-induced carriers under illumination光生電子和空穴一旦在半導體內(nèi)部產(chǎn)生，就會靠著內(nèi)建電場或者擴散作用向半導體表面遷移，然而并不是每一次的分離和遷移都是有效的，一般來說，光生電子和空穴的

【參考文獻】：
期刊論文
[1]可見光響應光解水制氫的半導體光催化劑[J]. 田蒙奎,上官文峰,王世杰,歐陽自遠.  化學進展. 2007(05)

碩士論文
[1]半導體納米棒陣列的制備及其光電性能的測試[D]. 歐陽威信.華南理工大學 2015
[2]稀土摻雜二氧化鈦氣相光催化降解有機污染物的研究[D]. 黃雅麗.福州大學 2004



本文編號：3315063