通過對硅片表面織構(gòu)化處理方法的研究比較,發(fā)現(xiàn)具有織狀結(jié)構(gòu)的黑硅,在很寬的波長范圍內(nèi),對入射太陽光都有很高的吸收率和很低的反射率。這減少了太陽光與硅片存在的光譜不匹配對電池效率提高的影響,這個(gè)技術(shù)在提高太陽能電池效率方面有極大的應(yīng)用。本課題采用金屬輔助化學(xué)腐蝕法,研究了不同腐蝕條件、不同工藝下,黑硅的微觀結(jié)構(gòu)變化及其對太陽光反射率的影響。對腐蝕原理進(jìn)行分析并對腐蝕過后的硅片進(jìn)行反射率、表面斷面形貌進(jìn)行表征,結(jié)果表明,采用硝酸銀作為活性位點(diǎn),雙氧水為氧化劑,氟化氫為腐蝕劑,在超聲輔助的作用下,對P型多晶硅進(jìn)行腐蝕,最終得到黑硅。通過對不同工藝（硅片切割方式、是否超聲、腐蝕時(shí)間）條件下,黑硅的表面形貌進(jìn)行SEM表征,并研究織狀結(jié)構(gòu)對黑硅反射率的影響,我們發(fā)現(xiàn),用金剛線切割的硅片在超聲條件下腐蝕60 S時(shí),硅片表面織狀結(jié)構(gòu)長度約為1μm,此時(shí)在300 nm-1100 nm的波長范圍內(nèi),黑硅的反射率最低值為2.6%,都優(yōu)于其他工藝條件下的對應(yīng)值。出現(xiàn)這種情況的主要原因是,銀粒子作為活性位點(diǎn),加快硅片縱向腐蝕速率,此時(shí)在硅片表面生成的陷光結(jié)構(gòu)最有利于入射太陽光在硅片表面的二次反射,這大大降低了硅片... 

【文章來源】：上海師范大學(xué)上海市

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

晶硅太陽能電池的應(yīng)用

制備的晶硅電池的最高光電轉(zhuǎn)換效率也已達(dá)到 18 %。由于其較高的的時(shí)間內(nèi)，硅太陽能電池將依然是類轉(zhuǎn)化為電能的器件，經(jīng)過多年的發(fā)同可分為：化合物太陽電池、有機(jī)又分為硅薄膜電池和晶體硅電池，廣泛應(yīng)用的原因。中，所用的化合物半導(dǎo)體，其能隙實(shí)現(xiàn)基底與太陽光譜之間的良好匹得高光電轉(zhuǎn)換效率。在已經(jīng)可以實(shí)aInAs/Ge 三結(jié)太陽能電池的光電使得化合物電池的廣泛使用便受到

第 1 章 緒論 上海師范大學(xué)碩士學(xué)位論文有機(jī)太陽能電池，它是一類新型的太陽能電池，與化合物電池、普通硅太陽電池相比，使用更輕薄靈活，而且成本低廉，且應(yīng)用廣泛，下圖為其效率示意圖：但是目前，對于有機(jī)電池的器件，其光電轉(zhuǎn)換效率不高，使用壽命偏短，其效率的進(jìn)一步提高，尚處于實(shí)驗(yàn)室的研發(fā)及攻關(guān)階段，還不能達(dá)到市場化要求的條件[30]。


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