微波燒結(jié)作為一種先進(jìn)的材料制備技術(shù),它具有升溫速度快、能源利用率高、加熱效率高和安全無(wú)污染等特點(diǎn),已經(jīng)成為材料燒結(jié)領(lǐng)域新的研究熱點(diǎn)。目前,微波窯的使用溫度主要在800℃以下,使用溫度在1300℃以上的高溫微波燒結(jié)窯十分少見,究其原因主要是缺少集抗熱震、隔熱、高透波于一體的耐火材料。多孔Si2N2O陶瓷不僅具有較低的介電常數(shù)和介電損耗,同時(shí)具備優(yōu)異的抗氧化和抗熱震性能。因此,多孔Si2N2O陶瓷的制備與性能研究可拓展其在微波窯以及高溫耐熱組件方面的應(yīng)用,具有十分重要的應(yīng)用價(jià)值。本文以非晶氮化硅（Si3N4）為原料,以碳酸鋰（Li2CO3）為燒結(jié)助劑,利用燒結(jié)助劑低溫熔融高溫強(qiáng)揮發(fā)特性,達(dá)到低溫促進(jìn)燒結(jié),高溫凈化晶間相的目的,同時(shí)利用其高溫?fù)]發(fā)產(chǎn)生氣孔制備出了綜合性能優(yōu)異的多孔純相Si2N2O陶瓷,研究發(fā)現(xiàn):在氮?dú)鈿夥障?非晶氮化硅的晶化溫度為1450℃,晶化產(chǎn)物主要為α-Si3N4;當(dāng)非晶氮化硅在1000℃預(yù)氧化后,相同溫度下析出了Si2N2O晶化相;添加2wt.%燒結(jié)助劑碳酸鋰,非晶氮化硅在1350℃開始晶化出現(xiàn)大量的Si2N2O相,說(shuō)明氧元素和燒結(jié)液相能促進(jìn)非晶氮化硅晶化析出Si2N... 

【文章來(lái)源】：鄭州大學(xué)河南省 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：94 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖２．１實(shí)驗(yàn)流程圖??

３斷裂韌性??ＧＢ／Ｔ２３８０６－２００９單邊切口梁（ＳＥＮＢ）法測(cè)量試樣的斷裂軔性，ｍｍ＞＜３５?ｍｍ規(guī)格的試樣，并且在試樣拉應(yīng)力面預(yù)制深度２?ｍｍ，寬的裂紋，用測(cè)抗彎強(qiáng)度相同的方式對(duì)試樣施加載荷，試樣及加．３所示，則斷裂初性的計(jì)算公式如（２－７）：??＝＾Ｍ１．９３?－?３－０７?？?＋１４－５３?０２?－?２５－０７?Ｇ）３?＋?２５－０８?？１——材料的斷裂軔性／ＭＰａｍｌ／２；??試樣的破壞載荷／Ｎ；??跨距／ｍｍ；??試樣預(yù)制裂紋的深度／ｍｍ；??試樣橫截面的寬度／ｍｍ；??試樣橫截面的高度／ｍｍ。??

?Ｌ?＇??圖２．２抗彎強(qiáng)度三點(diǎn)彎曲測(cè)試法示意圖??２．４．３斷裂韌性??根據(jù)ＧＢ／Ｔ２３８０６－２００９單邊切口梁（ＳＥＮＢ）法測(cè)量試樣的斷裂軔性，制備??４?ｍｍｘ３ｍｍ＞＜３５?ｍｍ規(guī)格的試樣，并且在試樣拉應(yīng)力面預(yù)制深度２?ｍｍ，寬度小??于０．２?ｍｍ的裂紋，用測(cè)抗彎強(qiáng)度相同的方式對(duì)試樣施加載荷，試樣及加載方??式如圖２．３所示，則斷裂初性的計(jì)算公式如（２－７）：??＾＝＾Ｍ１．９３?－?３－０７?？?＋１４－５３?０２?－?２５－０７?Ｇ）３?＋?２５－０８?？１?（２．７）??式中：??Ｋ，ｃ——材料的斷裂軔性／ＭＰａｍｌ／２；??Ｐ——試樣的破壞載荷／Ｎ；??Ｌ?跨距／ｍｍ；??ａ——試樣預(yù)制裂紋的深度／ｍｍ；??ｂ?試樣橫截面的寬度／ｍｍ；??ｈ?試樣橫截面的高度／ｍｍ。??１８??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]功能梯度材料的制備技術(shù)及其研發(fā)現(xiàn)狀[J]. 高曉菊,王伯芊,賈平斌,滿蓬,楊雙燕,燕東明.  材料導(dǎo)報(bào). 2014(01)
[2]功能梯度材料的研究進(jìn)展及應(yīng)用前景[J]. 馬濤,趙忠民,劉良祥,高超,黃雪剛.  化工科技. 2012(01)
[3]低介電常數(shù)多孔氮化硅陶瓷材料的制備[J]. 呂艷紅,王洪升.  現(xiàn)代技術(shù)陶瓷. 2011(02)
[4]透波介質(zhì)材料的介電性能及測(cè)試方法[J]. 于技強(qiáng),劉敬松,霍冀川.  四川兵工學(xué)報(bào). 2011(04)
[5]CBS涂層對(duì)多孔氮化硅高溫高頻介電性能的影響[J]. 孫雨薇,王樹彬,張健.  材料工程. 2011(02)
[6]功能梯度材料的制備與應(yīng)用進(jìn)展[J]. 卜恒勇,趙誠(chéng),盧晨.  材料導(dǎo)報(bào). 2009(23)
[7]多孔陶瓷透波材料研究現(xiàn)狀及進(jìn)展[J]. 李家亮,姜洪義,牛金葉.  硅酸鹽通報(bào). 2006(02)
[8]原位制備細(xì)晶Si3N4-Si2N2O復(fù)相陶瓷[J]. 駱俊廷,張凱鋒,王國(guó)峰,陳國(guó)清.  粉末冶金技術(shù). 2005(03)
[9]Si3N4陶瓷材料的高溫氧化理論及其抗氧化研究現(xiàn)狀[J]. 馮建基,李國(guó)卿,牟宗信,張長(zhǎng)瑞.  中國(guó)表面工程. 2004(04)
[10]微波燒結(jié)技術(shù)的進(jìn)展及展望[J]. 易健宏,唐新文,羅述東,李麗婭,彭元東.  粉末冶金技術(shù). 2003(06)

博士論文
[1]泡生法藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)及缺陷研究[D]. 于國(guó)建.山東大學(xué) 2014

碩士論文
[1]LTCC中玻璃/陶瓷復(fù)合基板材料的熱性能研究[D]. 龔雪薇.西安電子科技大學(xué) 2013
[2]BN/Si3N4復(fù)相多孔陶瓷的制備[D]. 車松蔚.山東大學(xué) 2012
[3]原位反應(yīng)燒結(jié)制備氮化硅基復(fù)相陶瓷及其環(huán)境性能[D]. 陳超.西北工業(yè)大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3290051