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沖旋對撞粉碎技術的微觀理論基礎

發(fā)布時間:2021-07-15 13:25
  從硅晶體變形的力學基礎、晶體變形力學模型、力能流的粉碎效能、硅晶體粉碎過程4方面深入闡述了沖旋對撞粉碎技術的微觀理論基礎。 

【文章來源】:有機硅材料. 2020,34(02)

【文章頁數(shù)】:7 頁

【部分圖文】:

沖旋對撞粉碎技術的微觀理論基礎


原子結合力、勢能與間距的關系

原子,勢能


為更深入掌握物料粉碎微觀理論,下文介紹了原子在受拉、劈、切等外力作用時的原子鍵變形狀況。圖2為原子在拉伸作用下力和能的變化。原子鍵長度為a0時,勢能和動能均最低。在拉伸作用下,a逐漸增大,直至am時原子間結合力最大,伴隨著拉力(Fb)進一步增大,原子鍵斷裂,外加拉伸能量Pb為原子結合勢能所吸收,以此提高本身勢能和動能,原子的晶格振動增大,穩(wěn)定性降低,原子活性增強。

曲線,拍擊,微觀,晶體


擠壓外力多點施加于晶粒上,首先引起受壓(迫擊)面層原子晶格受壓,原子鍵縮短,斥力增大,迫使附近晶格傳遞外力,引起原子外移(見圖3),拉伸原子鍵至斷裂,晶體出現(xiàn)裂紋和裂縫,并逐漸碎裂。這與硅抗壓試驗中,晶體在受力時的宏觀表現(xiàn)一致:先外層開裂,裂縫直下,繼而斜向(約45°)伸展、碎裂[6]。圖4的抗壓強度曲線演示了脆性物料(如工業(yè)硅)拍擊粉碎時的應力應變過程。受力初期,應力近直線增長,此時晶體壓縮、原子鍵變短、斥力增大;待原子鍵不能再壓縮傳力時,抗力不增,開始向周邊晶格傳力,出現(xiàn)小的變形,顯示出短暫的混沌臨界順碎段,緊接著引起周邊晶格原子鍵拉長,抗力增大,鍵受損并出現(xiàn)裂紋,轉(zhuǎn)向45°傾斜開裂,鍵斷裂,碎裂程度大、面積廣,得到細碎硅粉粒。2.2 劈擊碎裂

【參考文獻】:
期刊論文
[1]硅粉品質(zhì)優(yōu)化技術[J]. 常森,余敏.  有機硅材料. 2019(03)
[2]硅粉反應活性與對撞粉碎效用[J]. 常森,周功均,余敏.  有機硅材料. 2017(01)



本文編號:3285790

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