以氣化In₂O₃和SnO₂粉為原料,在原料體系中按照SnO₂為4%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）、6%、8%和10%的比例分別與In₂O₃混料,使用模壓輔助冷等靜壓（CIP）成型的方法制備出ITO（氧化銦錫）靶材坯體,并在1 550℃氧氣氛條件下燒結(jié),制得不同Sn含量的ITO靶材;將靶材試樣粉碎、過篩后腐蝕,并提取腐蝕產(chǎn)物,對不同Sn含量靶材表面及腐蝕產(chǎn)物的顯微組織、物相組成、密度和電阻率進(jìn)行了觀察和測試,并進(jìn)行分析。結(jié)果表明:腐蝕產(chǎn)物為ITO靶材第二相In₄Sn₃O₁₂;ITO靶材的晶粒尺寸隨SnO₂含量的增加而減小,晶界第二相總量逐漸提高并穩(wěn)定在3μm以下;靶材晶內(nèi)小顆粒尺寸隨SnO₂含量的增加而增大,并穩(wěn)定在100 nm以下;靶材第二相均出現(xiàn)微量失氧,且失氧率均在1.1%左右;靶材的實(shí)際密度和理論密度均隨SnO₂含量的增加而提高,其中,實(shí)... 

【文章來源】：硅酸鹽學(xué)報(bào). 2020,48(06)北大核心EICSCD

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【部分圖文】：

ITO靶材樣品晶內(nèi)SEM照片

圖3 ITO靶材樣品晶內(nèi)SEM照片由圖2可見，在弱酸條件下，靶材主相和第二相的腐蝕速率即存在差異，晶界處第二相均凸出，說明靶材主相更易于被腐蝕且腐蝕速率更快；而王水腐蝕后產(chǎn)物的尺寸仍基本與晶界第二相一致，說明靶材第二相難于被腐蝕。為加快靶材主相的腐蝕速率以便提高提取第二相的效率和效果，需要將靶材至少粉碎至100μm以下；同時(shí)為確保所提取第二相的純度，需要用王水至少腐蝕48 h以上。

由圖2可見，在弱酸條件下，靶材主相和第二相的腐蝕速率即存在差異，晶界處第二相均凸出，說明靶材主相更易于被腐蝕且腐蝕速率更快；而王水腐蝕后產(chǎn)物的尺寸仍基本與晶界第二相一致，說明靶材第二相難于被腐蝕。為加快靶材主相的腐蝕速率以便提高提取第二相的效率和效果，需要將靶材至少粉碎至100μm以下；同時(shí)為確保所提取第二相的純度，需要用王水至少腐蝕48 h以上。2.2.2 腐蝕產(chǎn)物的物相分析

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]直流磁控濺射工藝對ITO薄膜光電性能的影響[J]. 彭壽,蔣繼文,李剛,張寬翔,楊勇,姚婷婷,金克武,曹欣,徐根保,王蕓.  硅酸鹽學(xué)報(bào). 2016(07)
[2]In2O3-10SnO2陶瓷中In4Sn3O12與富Sn析出相特征[J]. 侯俊峰,周科朝,李志友,王科,甘雪萍.  中南大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016(05)



本文編號：3280579