石墨相氮化碳的制備和應(yīng)用進(jìn)展
發(fā)布時(shí)間:2021-07-04 17:58
隨著時(shí)代的發(fā)展和科技的進(jìn)步,各行各業(yè)突飛猛進(jìn),傳統(tǒng)材料的性能已經(jīng)不能滿足社會(huì)發(fā)展的需求,石墨相氮化碳g-C3N4作為一種不含金屬組分的可見(jiàn)光光催化劑,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)、高催化活性、化學(xué)與熱穩(wěn)定性好、無(wú)毒且制備簡(jiǎn)易、不含金屬等獨(dú)特的性質(zhì),引起了科研人員的廣泛關(guān)注,在催化、材料等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。本文主要綜述了g-C3N4的基本性質(zhì)和結(jié)構(gòu),總結(jié)介紹了直接熱聚合法、硬模板法、軟模板法等g-C3N4常用制備方法,并從催化和材料方面對(duì)g-C3N4的應(yīng)用進(jìn)行了總結(jié)和展望。
【文章來(lái)源】:皮革與化工. 2020,37(03)
【文章頁(yè)數(shù)】:11 頁(yè)
【部分圖文】:
g-C3N4化學(xué)結(jié)構(gòu)
Sun等人[33]以正硅酸乙酯(TEOS)為前驅(qū)體,通過(guò)Scober法制備出不規(guī)則的二氧化硅微球,再以正十八烷基三甲氧基硅烷(C18TMOS)為前驅(qū)體,在二氧化硅微球表面包裹新的二氧化硅層,經(jīng)過(guò)550℃焙燒后得到最終的二氧化硅模板,內(nèi)芯為致密二氧化硅,表層為介孔二氧化硅的核殼式微球,殼厚度可以通過(guò)改變TEOS和C18TMOS的加入量來(lái)調(diào)節(jié)。以氰胺為前驅(qū)體,經(jīng)過(guò)浸漬、焙燒并利用氟化氫銨去除二氧化硅模板得到殼厚度為56~85 nm的mpg-C3N4空心微球(圖2),其比表面積較體相氮化碳提高了8倍,且其中空的核殼結(jié)構(gòu)可以通過(guò)連續(xù)反射吸收更多的入射光,以利于提供更多的電荷載體,有效地改善了mpg-C3N4空心微球的光催化性能,光解水產(chǎn)氫效率達(dá)到了7.5%。Wang等[34]以球形纖維納米二氧化硅(KCC-1)為模板劑合成了g-C3N4納米球,比表面積可達(dá)160 m2/g,從電鏡表征可知納米球是由納米片狀g-C3N4構(gòu)成的(圖3),這種結(jié)構(gòu)有利于電荷轉(zhuǎn)移及電子空穴對(duì)分離,從而改善了g-C3N4納米球的光催化性能。Zheng等[35]以手性二氧化硅(CMS)為模板劑,通過(guò)納米澆筑的方法合成了手性螺旋g-C3N4納米棒,手性螺旋g-C3N4納米棒的手性結(jié)構(gòu)促進(jìn)了半導(dǎo)體電荷的分離及傳質(zhì)效率,有效地提高了g-C3N4的光催化性能。圖3 g-C3N4納米球形貌
圖2 空球形介孔氮化碳形貌Zhao等[36]以正硅酸乙酯為前驅(qū)體,通過(guò)調(diào)節(jié)p H值對(duì)模板劑改性合成了新型交聯(lián)雙峰介孔SBA-15。再以氰胺為前驅(qū)體,與新型交聯(lián)雙峰介孔SBA-15經(jīng)浸漬混合后焙燒并利用HF或NH4HF2去除二氧化硅模板得到類(lèi)似模板形貌的介孔g-C3N4,其表面布滿了無(wú)數(shù)的孔隙,比表面積為145 m2/g,光降解率提高為體相g-C3N4的15.3倍。Zhang等[37]發(fā)現(xiàn)將熔融的氰胺浸潤(rùn)經(jīng)鹽酸酸化后的SBA-15模板,再經(jīng)超聲處理后焙燒品合成了有序介孔g-C3N4,其比表面積高達(dá)517 m2/g,幾乎與SBA-15模板的比表面積一致,這表明了氰胺完全進(jìn)入經(jīng)鹽酸酸化后的SBA-15模板的孔道中。
本文編號(hào):3265265
【文章來(lái)源】:皮革與化工. 2020,37(03)
【文章頁(yè)數(shù)】:11 頁(yè)
【部分圖文】:
g-C3N4化學(xué)結(jié)構(gòu)
Sun等人[33]以正硅酸乙酯(TEOS)為前驅(qū)體,通過(guò)Scober法制備出不規(guī)則的二氧化硅微球,再以正十八烷基三甲氧基硅烷(C18TMOS)為前驅(qū)體,在二氧化硅微球表面包裹新的二氧化硅層,經(jīng)過(guò)550℃焙燒后得到最終的二氧化硅模板,內(nèi)芯為致密二氧化硅,表層為介孔二氧化硅的核殼式微球,殼厚度可以通過(guò)改變TEOS和C18TMOS的加入量來(lái)調(diào)節(jié)。以氰胺為前驅(qū)體,經(jīng)過(guò)浸漬、焙燒并利用氟化氫銨去除二氧化硅模板得到殼厚度為56~85 nm的mpg-C3N4空心微球(圖2),其比表面積較體相氮化碳提高了8倍,且其中空的核殼結(jié)構(gòu)可以通過(guò)連續(xù)反射吸收更多的入射光,以利于提供更多的電荷載體,有效地改善了mpg-C3N4空心微球的光催化性能,光解水產(chǎn)氫效率達(dá)到了7.5%。Wang等[34]以球形纖維納米二氧化硅(KCC-1)為模板劑合成了g-C3N4納米球,比表面積可達(dá)160 m2/g,從電鏡表征可知納米球是由納米片狀g-C3N4構(gòu)成的(圖3),這種結(jié)構(gòu)有利于電荷轉(zhuǎn)移及電子空穴對(duì)分離,從而改善了g-C3N4納米球的光催化性能。Zheng等[35]以手性二氧化硅(CMS)為模板劑,通過(guò)納米澆筑的方法合成了手性螺旋g-C3N4納米棒,手性螺旋g-C3N4納米棒的手性結(jié)構(gòu)促進(jìn)了半導(dǎo)體電荷的分離及傳質(zhì)效率,有效地提高了g-C3N4的光催化性能。圖3 g-C3N4納米球形貌
圖2 空球形介孔氮化碳形貌Zhao等[36]以正硅酸乙酯為前驅(qū)體,通過(guò)調(diào)節(jié)p H值對(duì)模板劑改性合成了新型交聯(lián)雙峰介孔SBA-15。再以氰胺為前驅(qū)體,與新型交聯(lián)雙峰介孔SBA-15經(jīng)浸漬混合后焙燒并利用HF或NH4HF2去除二氧化硅模板得到類(lèi)似模板形貌的介孔g-C3N4,其表面布滿了無(wú)數(shù)的孔隙,比表面積為145 m2/g,光降解率提高為體相g-C3N4的15.3倍。Zhang等[37]發(fā)現(xiàn)將熔融的氰胺浸潤(rùn)經(jīng)鹽酸酸化后的SBA-15模板,再經(jīng)超聲處理后焙燒品合成了有序介孔g-C3N4,其比表面積高達(dá)517 m2/g,幾乎與SBA-15模板的比表面積一致,這表明了氰胺完全進(jìn)入經(jīng)鹽酸酸化后的SBA-15模板的孔道中。
本文編號(hào):3265265
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