發(fā)布時間：2021-06-23 17:05

　　在各種二維材料中,單層過渡金屬硫族化合物,因為具有可觀的帶隙（Eg,1-2e V）和較高的載流子遷移率和開/關比,已顯示出作為半導體材料的巨大潛力。MoS₂更是由于其獨特的物理特性（例如依賴于層數(shù)的直接-間接帶隙轉(zhuǎn)換以及原子尺度的相變等）,在低功耗器件應用中受到廣泛關注。然而較高的接觸電阻一直限制著器件的性能,因此尋求提高接觸性能的解決辦法一直以來都是這一領域的一大研究重點和難點。本論文基于第一性原理計算,對金屬-單層MoS₂和金屬-多層MoS₂異質(zhì)結的接觸性能做了系統(tǒng)的研究和分析。本論文對二維層狀材料和過渡金屬硫族化合物的基本性質(zhì)做了系統(tǒng)介紹。重點歸納了MoS₂的兩種結構相（1T相和2H相）的結構特性和電學性質(zhì),闡述了目前在場效應晶體管應用中面臨的困難和國內(nèi)外的研究現(xiàn)狀。并且基于第一性原理的方法,對結構性能做了各方面的分析。在不同的金屬-單層MoS₂異質(zhì)結中,從接觸界面出發(fā),說明較小的晶格失配更有利于異質(zhì)結界面的成鍵和載流子遷移,而且具有合適金屬功函數(shù)和一些d軌道金屬更適合做... 

【文章來源】：哈爾濱工業(yè)大學黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

二維材料優(yōu)點示意圖[1]

TMD的3種結構相(a)1T型結構相(b)2H型結構相(c)3R型結構相

TMD中2H相的3種堆疊結構


本文編號：3245326