在各種二維材料中,單層過(guò)渡金屬硫族化合物,因?yàn)榫哂锌捎^的帶隙（Eg,1-2e V）和較高的載流子遷移率和開(kāi)/關(guān)比,已顯示出作為半導(dǎo)體材料的巨大潛力。MoS₂更是由于其獨(dú)特的物理特性（例如依賴(lài)于層數(shù)的直接-間接帶隙轉(zhuǎn)換以及原子尺度的相變等）,在低功耗器件應(yīng)用中受到廣泛關(guān)注。然而較高的接觸電阻一直限制著器件的性能,因此尋求提高接觸性能的解決辦法一直以來(lái)都是這一領(lǐng)域的一大研究重點(diǎn)和難點(diǎn)。本論文基于第一性原理計(jì)算,對(duì)金屬-單層MoS₂和金屬-多層MoS₂異質(zhì)結(jié)的接觸性能做了系統(tǒng)的研究和分析。本論文對(duì)二維層狀材料和過(guò)渡金屬硫族化合物的基本性質(zhì)做了系統(tǒng)介紹。重點(diǎn)歸納了MoS₂的兩種結(jié)構(gòu)相（1T相和2H相）的結(jié)構(gòu)特性和電學(xué)性質(zhì),闡述了目前在場(chǎng)效應(yīng)晶體管應(yīng)用中面臨的困難和國(guó)內(nèi)外的研究現(xiàn)狀。并且基于第一性原理的方法,對(duì)結(jié)構(gòu)性能做了各方面的分析。在不同的金屬-單層MoS₂異質(zhì)結(jié)中,從接觸界面出發(fā),說(shuō)明較小的晶格失配更有利于異質(zhì)結(jié)界面的成鍵和載流子遷移,而且具有合適金屬功函數(shù)和一些d軌道金屬更適合做... 

【文章來(lái)源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：69 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

二維材料優(yōu)點(diǎn)示意圖[1]

TMD的3種結(jié)構(gòu)相(a)1T型結(jié)構(gòu)相(b)2H型結(jié)構(gòu)相(c)3R型結(jié)構(gòu)相

TMD中2H相的3種堆疊結(jié)構(gòu)


本文編號(hào)：3245326