發(fā)布時間：2021-06-21 09:58

　　氧化鋁陶瓷和氮化硅陶瓷是先進(jìn)陶瓷材料的重要組成部分。氧化鋁陶瓷具有優(yōu)異光學(xué)性能,并且具有耐高溫,耐腐蝕等特性,已廣泛應(yīng)用于軍工等技術(shù)和環(huán)境要求苛刻的領(lǐng)域。隨著未來技術(shù)的發(fā)展,熱管理在電子電力設(shè)備發(fā)展中扮演重要的角色。氮化硅陶瓷同時具有可靠力學(xué)性能和卓越的熱導(dǎo)率。因此,氮化硅陶瓷將被應(yīng)用于大功率電路基板,對解決高集成電路的散熱問題具有重要的意義。本文圍繞氮化硅、氧化鋁先進(jìn)陶瓷材料制備及性能研究展開,利用多種方法制備樣品,力求得到性能優(yōu)異,結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的氮化硅,氧化鋁先進(jìn)陶瓷材料。詳細(xì)的科研工作及成果如下三個部分:1.利用放電等離子技術(shù)對氧化鋁多晶向單晶轉(zhuǎn)化的研究通過溶膠凝膠法,利用正硅酸四乙酯,四水硝酸鈣制備含有鈣離子和硅離子的溶液,將含有鈣離子和硅離子的溶液通過旋涂方法旋涂在氧化鋁陶瓷表面制得薄膜。將單晶和涂有薄膜的氧化鋁陶瓷樣品在放電等離子中燒結(jié)來研究多晶向單晶的轉(zhuǎn)變。通過控制前驅(qū)體正硅酸四乙酯,四水硝酸鈣的量來控制最后制得的溶液中的硅離子和鈣離子的含量,研究薄膜中硅離子和鈣離子的量對晶界擴(kuò)散的影響,以及陶瓷晶界移動所需要的驅(qū)動力和界面能。提高燒結(jié)溫度,探究對晶粒生長和晶界遷移的影響,以... 

【文章來源】：上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)上海市

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

放電等離子燒結(jié)樣品的掃面電鏡圖:(a):0.1mol/L;(b):0.2mol/L;(c):0.3mol/L;(d):0.4mol/L.Fig.3.1Scanningelectronmicrographofsamplessinteredbysparkplasmasintering(a):0.1mol/L;(b):0.2mol/L;(c):0.3mol/L;(d):0.4mol/L.圖3.1是燒結(jié)樣品的一個樣品圖，比較直觀的說明氧化鋁陶多晶向單晶的轉(zhuǎn)變的一

上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué) 碩士學(xué)位論文 第1瓷中出現(xiàn)裂紋，隨著溫度的增高當(dāng)鈣-鋁-硅達(dá)到共熔點(diǎn)，液相會隨著裂紋流失從而了晶粒增長的不確定性，之所以在陶瓷中出現(xiàn)了多晶向單晶的轉(zhuǎn)變與液相和氧化鋁的致密度都是有關(guān)系的，單晶和多晶交界處的裂紋，氣孔，表面的雜質(zhì)等原因都是單晶生長的因素[79]。

圖 3.3 不同薄膜濃度燒結(jié)樣品的晶粒增長以及單晶生長圖:(A):0.1mol/L;(B):0.2mol/L;(C):0.3mol/L;(D):0.4mol/L.Fig. 3.3 Grain growth and single crystal growth pattern of sintered samples with diffeconcentrations: (A):0.1mol/L;(B):0.2mol/L;(C):0.3mol/L;(D):0.4mol/L.

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]先進(jìn)陶瓷材料研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢[J]. 張偉儒,李伶,王坤.  新材料產(chǎn)業(yè). 2016(01)
[2]先進(jìn)結(jié)構(gòu)陶瓷材料的研究進(jìn)展[J]. 路學(xué)成,任瑩.  佛山陶瓷. 2009(01)
[3]先進(jìn)陶瓷材料發(fā)展概況與制備科學(xué)[J]. 施劍林.  世界科學(xué). 1996(09)



本文編號：3240472