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高導熱系數(shù)陶瓷填充PTFE基復合基板制備與性能研究

發(fā)布時間:2021-06-17 07:39
  聚四氟乙烯(PTFE)基復合基板具有優(yōu)良的高頻低損耗特性、穩(wěn)定的介電常數(shù)、超低的吸水率、耐腐蝕等特點,是5G通訊領域中的關鍵材料之一,在功率放大器、基站天線等應用廣泛。其中陶瓷填充PTFE制備的復合基板具有介電性能可調等特點逐步成為了當前研究的重點,國內廠家也都做出了較多相應的產品,但是目前較多都存在導熱率較低的問題(λ≤0.5 W/(m·K))。隨著PTFE基板上的器件日趨龐雜,并向多層堆疊、高集成度方向發(fā)展,散熱問題也日趨嚴峻。雖然有廠家做出了導熱率較高的產品但是介電損耗偏高,從而降低了實用性。因此本文分別選取Si3N4和Al2O3陶瓷粉體研究制備導熱性能良好以及其他性能參數(shù)優(yōu)良的高頻復合基板;同時通過對SiO2/PTFE體系上進行Si3N4或Al2O3的填充,研究其填充含量對SiO2/PTFE復合基板導熱和其他性能的影響。以下是本文研究的詳細內容:1.F8261硅... 

【文章來源】:電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:64 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

高導熱系數(shù)陶瓷填充PTFE基復合基板制備與性能研究


聚四氟乙烯的分子結構

示意圖,偶聯(lián)劑,流程,示意圖


第二章制備工藝與測試方法概述13防爆烘箱中,使用常溫風干,降低Si3N4陶瓷粉體在溶液中的分解。圖2-1偶聯(lián)劑改性流程示意圖(2)改性后粉體與聚四氟乙烯的復合將改性所得的粉體與PTFE乳液共同放置于去離子水溶液中,并添加適當?shù)姆稚,混合后放置于高速分散機中進行分散,時間約為1小時,完成后將復合溶液進行烘干,然后再通過高速粉碎機粉碎,以備最后的熱壓。Si3N4陶瓷粉體制備的樣品需要保持常溫風干,避免升高溫度帶來的分解反應。圖2-2復合工藝流程(3)粉體的預壓成型將得到的粉體進行預壓,實驗采用了金屬模具,將稱量好的粉末至于模具腔中,模具腔體長寬約為3x4cm,將準備好的粉體均勻裝好確保均勻厚度后使用液壓千斤頂在20Mpa的壓力下成型保壓1min。使用冷壓預先成型的目的是為了約束復合基板最后的形態(tài),同時也為了更好的排列成組一次熱壓減少實驗工作量,以免出現(xiàn)燒結完成后的復合基板的收縮率過大或者形狀厚度不規(guī)則影響性能測試。(4)復合基板的熱壓燒結聚四氟乙烯復合基板的的燒結過程包括加熱,保溫和冷卻三個階段。升溫是將預成型基板從室溫加熱至燒結溫度的過程,該階段是從結晶轉變?yōu)榉蔷У倪^程。聚四氟乙烯在加熱后體積膨脹并且在熔點膨脹約25%。其次將燒結的基板在燒結溫

工藝流程圖,工藝流程,基板


第二章制備工藝與測試方法概述13防爆烘箱中,使用常溫風干,降低Si3N4陶瓷粉體在溶液中的分解。圖2-1偶聯(lián)劑改性流程示意圖(2)改性后粉體與聚四氟乙烯的復合將改性所得的粉體與PTFE乳液共同放置于去離子水溶液中,并添加適當?shù)姆稚,混合后放置于高速分散機中進行分散,時間約為1小時,完成后將復合溶液進行烘干,然后再通過高速粉碎機粉碎,以備最后的熱壓。Si3N4陶瓷粉體制備的樣品需要保持常溫風干,避免升高溫度帶來的分解反應。圖2-2復合工藝流程(3)粉體的預壓成型將得到的粉體進行預壓,實驗采用了金屬模具,將稱量好的粉末至于模具腔中,模具腔體長寬約為3x4cm,將準備好的粉體均勻裝好確保均勻厚度后使用液壓千斤頂在20Mpa的壓力下成型保壓1min。使用冷壓預先成型的目的是為了約束復合基板最后的形態(tài),同時也為了更好的排列成組一次熱壓減少實驗工作量,以免出現(xiàn)燒結完成后的復合基板的收縮率過大或者形狀厚度不規(guī)則影響性能測試。(4)復合基板的熱壓燒結聚四氟乙烯復合基板的的燒結過程包括加熱,保溫和冷卻三個階段。升溫是將預成型基板從室溫加熱至燒結溫度的過程,該階段是從結晶轉變?yōu)榉蔷У倪^程。聚四氟乙烯在加熱后體積膨脹并且在熔點膨脹約25%。其次將燒結的基板在燒結溫

【參考文獻】:
期刊論文
[1]復合材料導熱性能的研究綜述[J]. 王亞東,陳冰浩,張保豐,馬博,鄭云峰.  合成纖維. 2020(03)
[2]填充型聚合物基導熱復合材料的研究進展[J]. 張金成,馮一峻,肖文軍,吳連斌.  杭州師范大學學報(自然科學版). 2019(05)
[3]氮化硅陶瓷粉體的制備研究進展[J]. 徐晨輝,張寧,趙介南,周彬彬,闞洪敏,王曉陽.  粉末冶金工業(yè). 2019(04)
[4]復配偶聯(lián)劑對SiO2/聚四氟乙烯復合材料性能的影響[J]. 游媛媛,袁穎.  復合材料學報. 2015(02)



本文編號:3234778

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