鋰鋁硅系光敏微晶玻璃制備及介電性能的研究
發(fā)布時間:2021-06-12 07:22
光敏微晶玻璃是一種新型可光刻的功能性玻璃,可借助紫外光刻和濕法刻蝕工藝在其表面或內(nèi)部制備出特定的微型結(jié)構(gòu)。光敏微晶玻璃的光構(gòu)化特性使其在集成電路、噴墨打印、生物分析等領(lǐng)域得到應(yīng)用。隨著集成電路應(yīng)用領(lǐng)域的拓展,介電性能成為限制光敏微晶玻璃發(fā)展的主要因素之一,對光敏微晶玻璃介電性能的調(diào)控成為當(dāng)前國內(nèi)外研究熱點。本論文第三章結(jié)合玻璃組成-結(jié)構(gòu)-性能的內(nèi)在聯(lián)系,系統(tǒng)研究了玻璃基礎(chǔ)組分的設(shè)計對光敏玻璃介電性能的影響,并進行了相應(yīng)的實驗性驗證。實驗采用熔融法制備不同配方的玻璃,利用網(wǎng)絡(luò)矢量分析儀和介電測量儀測試分析樣品的介電常數(shù)和介電損耗;利用紅外光譜和拉曼光譜分析組分對玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的影響;利用紫外-可見光譜和XRD觀察玻璃紫外吸收和析晶種類的影響情況。通過對這部分實驗結(jié)果的分析,發(fā)現(xiàn)光敏微晶玻璃的介電常數(shù)和介電損耗與K/Na的摩爾比呈正相關(guān),隨著摩爾比的降低,玻璃結(jié)構(gòu)趨于致密化,離子極化和弛豫減弱,在K/Na摩爾比降至最低,即組分中不含K2O時,介電常數(shù)和介電損耗達(dá)到最小值,分別為4.9和4.9×10-3(1 GHz);而在Al2...
【文章來源】:中國建筑材料科學(xué)研究總院北京市
【文章頁數(shù)】:83 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
不同工藝節(jié)點的門延遲、互連延時和總延時[4]
圖 1-2 3D IC 垂直互連示意圖[8]Fig. 1-2 Diagram of vertical interconnection in 3D IC板基板材料
介電常數(shù)和介電損耗較低,因此玻璃基轉(zhuǎn)接板的插入損耗遠(yuǎn)低于硅基轉(zhuǎn)接板,尤其是在高頻率環(huán)境下,如圖1-3 所示[12]。低插入損耗可以免去 TSV 中的 SiO2氧化,同時,玻璃性質(zhì)穩(wěn)定可以免去阻擋層沉積步驟,降低生產(chǎn)成本,提高通孔質(zhì)量。其次,玻璃的制造成本
【參考文獻】:
期刊論文
[1]硅基轉(zhuǎn)接板上傳輸線的電學(xué)特性[J]. 周靜,萬里兮,戴風(fēng)偉,王惠娟. 科學(xué)技術(shù)與工程. 2013(20)
[2]以四氯化硅水熱法合成高純微米級石英晶體[J]. 張保川,薛屺,張進,劉玉紅,鄧洪斌. 無機鹽工業(yè). 2013(02)
[3]陽離子對硅酸鹽玻璃激光拉曼光譜影響的研究[J]. 熊義,趙虹霞,干福熹. 光譜學(xué)與光譜分析. 2012(04)
[4]BaO對LAS微晶玻璃結(jié)構(gòu)和性能的影響[J]. 謝軍,謝俊,林墨洲. 武漢理工大學(xué)學(xué)報. 2010(22)
[5]低介低損耗CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃性能研究[J]. 李寶劍,張樹人,周曉華,路標(biāo),何茗. 電子元件與材料. 2009(12)
[6]無堿鋁硼硅系玻璃結(jié)構(gòu)的紅外光譜[J]. 彭琳,趙高凌,應(yīng)浩,汪建勛,翁文劍,韓高榮. 硅酸鹽學(xué)報. 2007(07)
[7]氧化物玻璃介電性能及研究現(xiàn)狀[J]. 徐言超,于曉杰,岳云龍,陳現(xiàn)景. 濟南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2007(01)
[8]影響光敏微晶玻璃光敏性因素的研究[J]. 趙雷康,韓建軍,王升高,劉繼翔. 玻璃. 2000(02)
[9]Li2O-Al2O3-SiO2系統(tǒng)光敏微晶玻璃低溫析晶晶相的研究[J]. 趙前,程金樹,武七德,王全. 武漢工業(yè)大學(xué)學(xué)報. 1996(04)
[10]含多種玻璃生成體氧化物玻璃的振動光譜和結(jié)構(gòu)[J]. 干福熹,黃國松,林鳳英. 光學(xué)學(xué)報. 1984(04)
博士論文
[1]高性能硅通孔(TSV)三維互連研究[D]. 黃翠.清華大學(xué) 2015
[2]高強鈉鈣鋁硅系浮法玻璃組成、結(jié)構(gòu)及性能的研究[D]. 肖子凡.武漢理工大學(xué) 2014
本文編號:3226192
【文章來源】:中國建筑材料科學(xué)研究總院北京市
【文章頁數(shù)】:83 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
不同工藝節(jié)點的門延遲、互連延時和總延時[4]
圖 1-2 3D IC 垂直互連示意圖[8]Fig. 1-2 Diagram of vertical interconnection in 3D IC板基板材料
介電常數(shù)和介電損耗較低,因此玻璃基轉(zhuǎn)接板的插入損耗遠(yuǎn)低于硅基轉(zhuǎn)接板,尤其是在高頻率環(huán)境下,如圖1-3 所示[12]。低插入損耗可以免去 TSV 中的 SiO2氧化,同時,玻璃性質(zhì)穩(wěn)定可以免去阻擋層沉積步驟,降低生產(chǎn)成本,提高通孔質(zhì)量。其次,玻璃的制造成本
【參考文獻】:
期刊論文
[1]硅基轉(zhuǎn)接板上傳輸線的電學(xué)特性[J]. 周靜,萬里兮,戴風(fēng)偉,王惠娟. 科學(xué)技術(shù)與工程. 2013(20)
[2]以四氯化硅水熱法合成高純微米級石英晶體[J]. 張保川,薛屺,張進,劉玉紅,鄧洪斌. 無機鹽工業(yè). 2013(02)
[3]陽離子對硅酸鹽玻璃激光拉曼光譜影響的研究[J]. 熊義,趙虹霞,干福熹. 光譜學(xué)與光譜分析. 2012(04)
[4]BaO對LAS微晶玻璃結(jié)構(gòu)和性能的影響[J]. 謝軍,謝俊,林墨洲. 武漢理工大學(xué)學(xué)報. 2010(22)
[5]低介低損耗CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃性能研究[J]. 李寶劍,張樹人,周曉華,路標(biāo),何茗. 電子元件與材料. 2009(12)
[6]無堿鋁硼硅系玻璃結(jié)構(gòu)的紅外光譜[J]. 彭琳,趙高凌,應(yīng)浩,汪建勛,翁文劍,韓高榮. 硅酸鹽學(xué)報. 2007(07)
[7]氧化物玻璃介電性能及研究現(xiàn)狀[J]. 徐言超,于曉杰,岳云龍,陳現(xiàn)景. 濟南大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2007(01)
[8]影響光敏微晶玻璃光敏性因素的研究[J]. 趙雷康,韓建軍,王升高,劉繼翔. 玻璃. 2000(02)
[9]Li2O-Al2O3-SiO2系統(tǒng)光敏微晶玻璃低溫析晶晶相的研究[J]. 趙前,程金樹,武七德,王全. 武漢工業(yè)大學(xué)學(xué)報. 1996(04)
[10]含多種玻璃生成體氧化物玻璃的振動光譜和結(jié)構(gòu)[J]. 干福熹,黃國松,林鳳英. 光學(xué)學(xué)報. 1984(04)
博士論文
[1]高性能硅通孔(TSV)三維互連研究[D]. 黃翠.清華大學(xué) 2015
[2]高強鈉鈣鋁硅系浮法玻璃組成、結(jié)構(gòu)及性能的研究[D]. 肖子凡.武漢理工大學(xué) 2014
本文編號:3226192
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