在一些功率器件中,襯底材料需要保證一些基本性能,如寬的能帶隙、優(yōu)異的導熱性、高的擊穿電場和良好的化學穩(wěn)定性等。因此,作為第三代半導體材料單晶碳化硅（4H-SiC）受到了高度的關注,被廣泛地應用在高壓、高溫、高功率、高頻率等的電子領域。這些領域對碳化硅表面質量要求極高,目前已經存在的碳化硅拋光方法,如機械研磨、化學機械拋光、電化學機械拋光、等離子體輔助拋光等,這些加工方法存在著表面材料去除率低、加工后表面存在劃痕等不足�；谶@些不足,本文提出了新的拋光碳化硅方法,紫外光催化輔助拋光碳化硅,該方法是利用機械與化學協(xié)同作用對碳化硅表面進行高效無損傷材料去除。采用分子動力學及反應分子動力學模擬對碳化硅拋光進行模擬,從原子層面上觀察拋光過程中機械與化學相互促進作用的影響,采用光催化輔助拋光碳化硅試驗對部分模擬進行驗證。（1）本文基于分子動力學原理,通過Lammps分子動力學模擬軟件對金剛石磨粒拋光碳化硅的參數(shù)影響進行模擬。研究表明:首先在相同下壓速度、劃擦速度及磨料的條件下,劃擦不同表面,得到了Si面劃擦質量比C面好。不同磨料對碳化硅工件的Si面進行劃擦,金剛石磨粒效果好于二氧化硅,二氧化硅僅能... 

【文章來源】：沈陽工業(yè)大學遼寧省

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

碳化硅結構圖

不同晶型

沈陽工業(yè)大學碩士學位論文2圖1.1碳化硅結構圖Fig.1.1SiliconcarbidestructurediagramCSi3C-SiC4H-SiC6H-SiC圖1.2不同晶型的碳化硅結構圖Fig.1.2Structurediagramofdifferentcrystallinesiliconcarbide常見3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC三種晶型在常溫下的性質如表1.1：表1.1三種晶型性能對比Tab.1.1Performancecomparisonofthreecrystaltypes性質3C-SiC4H-SiC6H-SiC晶格結構閃鋅礦纖鋅礦纖鋅礦密度3.2143.2113.211熔點約3200約3100約3100熱導率3.63.74.9莫氏硬度9.59.59.5彈性模量410--禁帶寬度2.23.262.9本文研究的材料選取為六方晶系的密排六方結構。1.1.2碳化硅的應用目前，以碳化硅材料為代表的第三代半導體引發(fā)了一場關于科技、經濟及軍事等方面


本文編號：3221686