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氮化碳修飾的氧化鋅納米線陣列的制備及其光電催化應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2021-05-16 11:34
  研究了氮化碳修飾的氧化鋅納米線陣列作為光陽(yáng)極在光電化學(xué)(PEC)電池中的應(yīng)用。首先采用水熱法制備氧化鋅納米線陣列,用二氰二胺制備石墨狀氮化碳(g-C3N4)和無(wú)定形氮化碳(a-C3N4)。然后用不同濃度的g-C3N4和a-C3N4懸濁液修飾氧化鋅納米線陣列。通過(guò)SEM、XRD、FT-IR、XPS、UV-Vis等方法表征樣品的結(jié)構(gòu)與成分,紫外-可見(jiàn)光吸收光譜表明氧化鋅納米線陣列在可見(jiàn)光區(qū)的光吸收強(qiáng)度隨著氮化碳懸濁液濃度的增加而提高,并且在相同條件下,a-C3N4/ZnO比g-C3N4/ZnO在可見(jiàn)光區(qū)有更好的吸收。將一系列氮化碳修飾的氧化鋅納米線陣列制作成光陽(yáng)極器件,并進(jìn)行光電化學(xué)測(cè)試,氮化碳的修飾可以使氧化鋅納米線陣列的光電催化性能有顯著提高,并且a-C3N4/ZnO比g-C

【文章來(lái)源】:沈陽(yáng)師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,38(02)

【文章頁(yè)數(shù)】:9 頁(yè)

【文章目錄】:
0 引 言
1 實(shí)驗(yàn)部分
    1.1 ZnO納米線陣列的制備
    1.2 氮化碳的制備
    1.3 氮化碳修飾ZnO納米線陣列
    1.4 氮化碳修飾ZnO納米線陣列光陽(yáng)極器件的制作
2 數(shù)據(jù)與討論
    2.1 石墨氮化碳和無(wú)定形氮化碳的結(jié)構(gòu)與組分表征
    2.2 氮化碳修飾的ZnO納米線陣列的結(jié)構(gòu)與組分表征
    2.3 氮化碳修飾的氧化鋅納米線陣列的UV-Vis與PEC光陽(yáng)極性能測(cè)試
3 結(jié) 論



本文編號(hào):3189617

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