發(fā)布時間：2021-04-24 10:05

　　ZnO是一種典型的稀磁半導體材料,具有獨特的光學和壓電等優(yōu)良特性,可廣泛應用在新型的電子器件中。采用水熱法生長出了本征ZnO納米材料,用X射線衍射分析和掃描電子顯微鏡對其微結構進行了表征,采用光致發(fā)光譜分析其光學性能并從能級缺陷圖解釋了發(fā)光機理,結果發(fā)現(xiàn)ZnO納米材料在紫外區(qū)的發(fā)光峰是因為高能級的電子躍遷到低能級與空穴進行復合后釋放能量所引起的;而可見光區(qū)域的發(fā)光峰則是因為晶體中的缺陷產(chǎn)生,氧反應引起的。 

【文章來源】：山東化工. 2020,49(22)

【文章頁數(shù)】：3 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 Zn O納米材料的水熱法制備
    2.2 Zn O納米材料的微結構表征
    2.3 Zn O納米材料的光學性能研究
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]水熱法制備的ZnO納米線的微結構、光學性質以及光學模型（英文）[J]. 朱憲安,王泉,石永敬,宋世庚,劉衛(wèi)國,周順,Des GIBSON,Yahya ALAJLANI,李成.  Transactions of Nonferrous Metals Society of China. 2020(01)
[2]氧化鋅基薄膜的制備及其光學性質的研究現(xiàn)狀[J]. 吳艷南.  西昌學院學報(自然科學版). 2019(01)
[3]Surface Acoustic Wave Humidity Sensors Based on（1120） ZnO Piezoelectric Films Sputtered on R-Sapphire Substrates[J]. 王艷,張淑儀,范理,水修基,楊躍濤.  Chinese Physics Letters. 2015 (08)

碩士論文
[1]二維ZnO材料的缺陷結構及其光學性質[D]. 白玲玲.廣東工業(yè)大學 2019
[2]ZnO納米結構的制備及其光學性能的研究[D]. 高品.中國科學技術大學 2016
[3]ZnO納米結構的制備及其光、光電催化性能[D]. 屈文偲.鄭州大學 2016



本文編號：3157170