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高效CaF 2 和MgF 2 吸水劑

發(fā)布時間:2021-04-15 10:04
  腐蝕性電子氣體HF作為微納電子制造中的關(guān)鍵氣體之一,主要被用于半導體工業(yè)中硅晶片的刻蝕以及表面清洗。隨著微納電子制造向著高集成度、大的晶圓尺寸、更窄的線寬和更高的完整性發(fā)展,對HF電子氣體純度的要求也越來越高,其中,水分雜質(zhì)是導致下游產(chǎn)品缺陷、二次污染物釋出和HF氣體純度降低的根源。因此,對HF電子氣體雜質(zhì)水含量的要求也越來越嚴苛。MgF2和CaF2對水分子有強吸附作用,且能耐受HF和水蒸氣的協(xié)同腐蝕,可作為HF氣體中痕量水去除的吸附劑。但已報道的CaF2吸水容量較小,而有關(guān)MgF2的吸水性能研究甚少。基于此,本文系統(tǒng)地研究了具有高比表面積、高熱穩(wěn)定性MgF2和CaF2的合成方法及其吸水性能,主要研究內(nèi)容如下:1.通過共沉淀法,以SiO2為模板劑制備了硅、鎂復合氧化物,再與氫氟酸反應,制得多孔MgF2,考察了鎂源、硅源以及金屬摻雜的種類和用量等因素對MgF2中孔結(jié)構(gòu)性能的影響。結(jié)果表明,以醋... 

【文章來源】:浙江師范大學浙江省

【文章頁數(shù)】:69 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

高效CaF 2 和MgF 2 吸水劑


膜分離法除水模型[9]

流程圖,反應精餾,水工,流程圖


第一章緒論41.2.2反應-精餾法在工業(yè)生產(chǎn)中,單獨使用某一種純化方法往往具有一定的局限性,會存在除雜深度不夠,除雜效率低等問題。如果采用多種方法聯(lián)用的方式,能夠彌補單一操作的不足,具有更好的除雜效果。2015年,柳彤等人[18]報道了一種反應-精餾組合的方法來脫除HF氣體中痕量水。由于HF會與水形成共沸混合物,采用簡單的精餾法已無法達到深度脫水的目的,需采用反應-精餾組合的方法,其裝置示意圖見圖1.2。首先,通過進料口2加入到反應釜1中,對整個反應裝置抽真空,接著用氦氣吹掃,重復抽真空氦氣吹掃操作十次,液化后的HF通過進料口6加入到反應釜1中,接著對反應釜1加熱,利用冷凝器3保持回流,使反應釜1與冷凝器3之間保持5-10℃的溫度差以及0.01-0.02MPa的壓力差,接著進行精餾,取樣分析精餾產(chǎn)物的含水量低于1ppm后,收集餾分至低溫存儲器7中。該方法的原理是利用精餾來使水分富集,然后水分再與WF4反應,利用反應-精餾的方法將HF中水分含量降低至1ppm以下。該方法除水效率高、操作安全、工藝簡單、利于雜質(zhì)分離,但該方法能耗較高,對操作環(huán)境的要求也比較嚴格。圖1.2反應精餾除水工藝流程圖[18]1.2.3吸附分離法吸附分離法是利用吸附作用,將樣品中的雜質(zhì)氣體吸附到固體吸附劑的表面,

示意圖,示意圖,活性炭,材料


第一章緒論6HF氣體中的除水時,材料中的Al2O3和SiO2易與HF發(fā)生反應,導致分子篩骨架坍塌的同時,也會生成AlF3、SiF4和H2O等雜質(zhì),造成二次污染。1.2.3.2活性炭利用活性炭在去除HF氣體中痕量水的方法主要是利用活性炭的吸附能力,包括物理吸附和化學吸附兩種吸附方式,其中物理吸附作用的強弱主要取決于吸附劑的孔道結(jié)構(gòu),因為活性炭材料相較于其他吸附材料,具有特別發(fā)達的多孔結(jié)構(gòu),這也是導致活性炭材料吸附容量大,吸附效率高的主要原因[26,27]。而化學吸附是一種化學反應的過程,其吸附作用的強弱取決于活性炭表面的官能團化學性質(zhì)。在除雜過程中,活性炭表面存在的含氧官能團會發(fā)生脫羥基或脫羧基反應,產(chǎn)生少量的水蒸氣。所以,活性炭吸附材料使用之前需要先進行預處理來消除含氧官能團。Millwaid[28]和Funke等人[29]各自獨立報道了一種合成超低排放碳材料的方法,該材料能用于吸附腐蝕性電子氣體中水雜質(zhì)。首先在溫度為473K-673K及超高純惰性體氣體氣氛下,對活性炭進行預處理,除去其吸附的H2O和CO2等雜質(zhì),然后將待凈化氣體通入凈化器開始凈化,見圖1.3。盡管活性炭具有很好的耐腐蝕性,但在低含水量(ppm級)的條件下對水的吸附能力較弱,無法達到脫除腐蝕性氣體中痕量水的目的。圖1.3凈化系統(tǒng)示意圖[27]

【參考文獻】:
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本文編號:3139125

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