鉍基復(fù)合鈣鈦礦摻雜的(K 0.5 Na 0.5 )NbO 3 無鉛介電陶瓷的電學(xué)性能研究
發(fā)布時(shí)間:2021-04-05 10:52
隨著電子設(shè)備不斷向輕量化、低成本和高品質(zhì)方向發(fā)展,要求相應(yīng)的元器件必須兼具小型化、高性能、低成本和環(huán)境友好等特征。鈮酸鉀鈉基無鉛介電陶瓷是一類備受關(guān)注的環(huán)境友好型電子材料,其各方面的綜合性能較好,例如,高的居里溫度為實(shí)現(xiàn)寬的介電溫度穩(wěn)定區(qū)間提供了可能,這一特點(diǎn)可以實(shí)現(xiàn)該材料在多層陶瓷電容器(英文簡(jiǎn)稱MLCC)高溫領(lǐng)域的應(yīng)用。為了促進(jìn)鈮酸鉀鈉基陶瓷在該領(lǐng)域的發(fā)展,越來越多的研究者投身于其中,但是由于其在高溫下金屬元素(K,Na)的揮發(fā)導(dǎo)致(K0.5Na0.5)NbO3(KNN)的性能未達(dá)理想值,因此提高KNN的電學(xué)性能具有重大意義。本文采用傳統(tǒng)的固相燒結(jié)法制備Bi(Cu2/3Nb1/3)O3(BCN)、Bi(Ni2/3Nb1/3)O3(BNN)、Bi(Ni3/4W1/4)O3(BNW)、Bi(Mg3/4Mo...
【文章來源】:桂林理工大學(xué)廣西壯族自治區(qū)
【文章頁數(shù)】:86 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
ABO3晶體結(jié)構(gòu)圖[6]
4具有鐵電性能的材料重要特征是具有電滯回線,如圖1.2所示為典型的P-E(極化強(qiáng)度-外加電場(chǎng))回線[9]。在外加電場(chǎng)的作用下,隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的持續(xù)增大,到達(dá)某一值時(shí)會(huì)出現(xiàn)晶體內(nèi)部只存在與電場(chǎng)方向相同的單個(gè)電疇,這時(shí)鐵電體的極化強(qiáng)度達(dá)到飽和,如圖C點(diǎn)位置。此時(shí)當(dāng)電場(chǎng)開始降低時(shí),晶體的極化強(qiáng)度也逐漸下降。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度降到0值時(shí),會(huì)存在一個(gè)剩余極化強(qiáng)度(Pr),這個(gè)剩余極化強(qiáng)度的產(chǎn)生,是由于陶瓷中不同晶相的存在以及晶相的對(duì)稱性差使得之前翻轉(zhuǎn)的電疇在返回到原來的位子上的路徑變得困難。CB線段延長(zhǎng)線與P軸的交點(diǎn)Ps表示電疇的自發(fā)極化強(qiáng)度,相當(dāng)于每個(gè)電疇固有的極化強(qiáng)度。為了去掉Pr必須再加反向電場(chǎng),使晶體中電場(chǎng)方向的電疇偶極矩與逆電場(chǎng)方向的電疇極矩相等,極化相消,Ec為使極化消失的電場(chǎng),也是矯正極化狀態(tài)的電場(chǎng)值,稱為矯頑常圖1.2電滯回線[9]Figure1.2Ferroelectrichysteresisloop1.5研究思路及內(nèi)容1.5.1研究思路隨著現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)科學(xué)技術(shù)的飛快發(fā)展,依托4G的良好技術(shù),第五代移動(dòng)通訊技術(shù)即5G時(shí)代已經(jīng)迅速發(fā)展起來,電子元器件又迎來了一次快速發(fā)展的新時(shí)期。由于功能陶瓷的小型化、高性能等優(yōu)點(diǎn),人們對(duì)電子陶瓷材料的需求加大,例如多層陶瓷電容器(MLCC)市場(chǎng)中,研究者對(duì)性能優(yōu)異的介電陶瓷投入了大量的關(guān)注。目前,為了代替有毒的鉛基陶瓷材料,擴(kuò)大健康友好型市場(chǎng),許多無鉛介電陶瓷正在被研究當(dāng)中,如鈮酸鉀鈉基、碳酸鋇基、以及鈦酸鉍鈉基陶瓷等。其中,鈮酸鉀鈉基無鉛介電陶瓷在高溫領(lǐng)域的應(yīng)用具有很大的應(yīng)用前景,但是它的
14表3.1(1-x)KNN-xBCN和(1-x)KNN-xBNN配方原料質(zhì)量Table3.1Massofrawmaterialsfor(1-x)KNN-xBCNand(1-x)KNN-xBNN單位(g)(K0.5Na0.5)NbO3Bi(Cu2/3Nb1/3)O3K2CO3Na2CO3Nb2O5Bi2O3CuONb2O523.63829.385547.07639.3292.12353.5475x=0150x=0.00514.85660.1434x=0.0114.71450.2855x=0.01514.57370.4263x=0.0214.43410.5659單位(g)(K0.5Na0.5)NbO3Bi(Ni2/3Nb1/3)O3K2CO3Na2CO3Nb2O5Bi2O3NiONb2O523.63829.385547.07639.82832.01523.5565x=0150x=0.00514.85800.1420x=0.007514.78740.2126x=0.0114.71720.2828x=0.012514.64730.3527x=0.01514.57770.42233.3KNN-BCN陶瓷的實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析3.3.1KNN-BCN陶瓷的相結(jié)構(gòu)圖3.1(1-x)KNN-xBCN陶瓷的XRD衍射圖譜Figure3.1XRDpattersof(1-x)KNN-xBCNceramic如圖3.1為最佳溫度燒結(jié)的(1-x)KNN-xBCN(x=0,0.005,0.01,0.015,0.02)陶瓷的XRD衍射圖譜(最佳燒結(jié)溫度分別為1145℃、1145℃、1155℃、1130℃)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]BiFeO3-PbTiO3系高溫壓電陶瓷的阻抗譜分析[J]. 程晉榮,石貴陽,祁玉發(fā),陳建國,俞圣雯. 上海大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2011(04)
[2]鈣鈦礦型鈮酸鹽系無鉛壓電陶瓷材料與器件的研究進(jìn)展[J]. 肖定全,吳文娟,梁文峰,朱建國. 材料導(dǎo)報(bào). 2010(15)
[3]氧化鉍摻雜對(duì)鈮酸鉀鈉無鉛壓電陶瓷性能的影響[J]. 劉代軍,杜紅亮,唐福生,羅發(fā),周萬城. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2007(09)
[4]高溫壓電陶瓷研究進(jìn)展[J]. 文海,王曉慧,趙巍,王浩,李龍土,桂治輪. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2006(11)
[5]無鉛無鉍壓電陶瓷(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3-Na5.6Cu1.2Sb10O29研究[J]. 鄭立梅,王矜奉,臧國忠,趙明磊,亓鵬,杜鵑,蘇文斌,明保全. 科學(xué)通報(bào). 2006(16)
[6]PbNb2O6基壓電陶瓷的高溫介電性能研究[J]. 周靜,趙然,陳文. 陶瓷學(xué)報(bào). 2005(03)
[7]鋯鈦酸鉛陶瓷的燒結(jié)研究進(jìn)展[J]. 王軍霞,楊世源,牟國洪. 陶瓷. 2004(06)
[8]高居里點(diǎn)壓電陶瓷材料研究進(jìn)展[J]. 王守德,劉福田,蘆令超,常鈞,程新. 山東陶瓷. 2004(04)
[9]添加SrO或SnO2對(duì)Ba4.5(Nd0.84,Bi0.16)9Ti18O54微波陶瓷介電性能的影響[J]. 石勇,靳正國,程志捷,魏學(xué)忠,徐廷獻(xiàn). 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2003(06)
[10]銀摻雜對(duì)低溫?zé)Y(jié)四元系陶瓷壓電性能的影響[J]. 胡曉冰,李龍土,左如忠,桂治輪. 壓電與聲光. 2003(01)
本文編號(hào):3119498
【文章來源】:桂林理工大學(xué)廣西壯族自治區(qū)
【文章頁數(shù)】:86 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
ABO3晶體結(jié)構(gòu)圖[6]
4具有鐵電性能的材料重要特征是具有電滯回線,如圖1.2所示為典型的P-E(極化強(qiáng)度-外加電場(chǎng))回線[9]。在外加電場(chǎng)的作用下,隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的持續(xù)增大,到達(dá)某一值時(shí)會(huì)出現(xiàn)晶體內(nèi)部只存在與電場(chǎng)方向相同的單個(gè)電疇,這時(shí)鐵電體的極化強(qiáng)度達(dá)到飽和,如圖C點(diǎn)位置。此時(shí)當(dāng)電場(chǎng)開始降低時(shí),晶體的極化強(qiáng)度也逐漸下降。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度降到0值時(shí),會(huì)存在一個(gè)剩余極化強(qiáng)度(Pr),這個(gè)剩余極化強(qiáng)度的產(chǎn)生,是由于陶瓷中不同晶相的存在以及晶相的對(duì)稱性差使得之前翻轉(zhuǎn)的電疇在返回到原來的位子上的路徑變得困難。CB線段延長(zhǎng)線與P軸的交點(diǎn)Ps表示電疇的自發(fā)極化強(qiáng)度,相當(dāng)于每個(gè)電疇固有的極化強(qiáng)度。為了去掉Pr必須再加反向電場(chǎng),使晶體中電場(chǎng)方向的電疇偶極矩與逆電場(chǎng)方向的電疇極矩相等,極化相消,Ec為使極化消失的電場(chǎng),也是矯正極化狀態(tài)的電場(chǎng)值,稱為矯頑常圖1.2電滯回線[9]Figure1.2Ferroelectrichysteresisloop1.5研究思路及內(nèi)容1.5.1研究思路隨著現(xiàn)代網(wǎng)絡(luò)科學(xué)技術(shù)的飛快發(fā)展,依托4G的良好技術(shù),第五代移動(dòng)通訊技術(shù)即5G時(shí)代已經(jīng)迅速發(fā)展起來,電子元器件又迎來了一次快速發(fā)展的新時(shí)期。由于功能陶瓷的小型化、高性能等優(yōu)點(diǎn),人們對(duì)電子陶瓷材料的需求加大,例如多層陶瓷電容器(MLCC)市場(chǎng)中,研究者對(duì)性能優(yōu)異的介電陶瓷投入了大量的關(guān)注。目前,為了代替有毒的鉛基陶瓷材料,擴(kuò)大健康友好型市場(chǎng),許多無鉛介電陶瓷正在被研究當(dāng)中,如鈮酸鉀鈉基、碳酸鋇基、以及鈦酸鉍鈉基陶瓷等。其中,鈮酸鉀鈉基無鉛介電陶瓷在高溫領(lǐng)域的應(yīng)用具有很大的應(yīng)用前景,但是它的
14表3.1(1-x)KNN-xBCN和(1-x)KNN-xBNN配方原料質(zhì)量Table3.1Massofrawmaterialsfor(1-x)KNN-xBCNand(1-x)KNN-xBNN單位(g)(K0.5Na0.5)NbO3Bi(Cu2/3Nb1/3)O3K2CO3Na2CO3Nb2O5Bi2O3CuONb2O523.63829.385547.07639.3292.12353.5475x=0150x=0.00514.85660.1434x=0.0114.71450.2855x=0.01514.57370.4263x=0.0214.43410.5659單位(g)(K0.5Na0.5)NbO3Bi(Ni2/3Nb1/3)O3K2CO3Na2CO3Nb2O5Bi2O3NiONb2O523.63829.385547.07639.82832.01523.5565x=0150x=0.00514.85800.1420x=0.007514.78740.2126x=0.0114.71720.2828x=0.012514.64730.3527x=0.01514.57770.42233.3KNN-BCN陶瓷的實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析3.3.1KNN-BCN陶瓷的相結(jié)構(gòu)圖3.1(1-x)KNN-xBCN陶瓷的XRD衍射圖譜Figure3.1XRDpattersof(1-x)KNN-xBCNceramic如圖3.1為最佳溫度燒結(jié)的(1-x)KNN-xBCN(x=0,0.005,0.01,0.015,0.02)陶瓷的XRD衍射圖譜(最佳燒結(jié)溫度分別為1145℃、1145℃、1155℃、1130℃)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]BiFeO3-PbTiO3系高溫壓電陶瓷的阻抗譜分析[J]. 程晉榮,石貴陽,祁玉發(fā),陳建國,俞圣雯. 上海大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2011(04)
[2]鈣鈦礦型鈮酸鹽系無鉛壓電陶瓷材料與器件的研究進(jìn)展[J]. 肖定全,吳文娟,梁文峰,朱建國. 材料導(dǎo)報(bào). 2010(15)
[3]氧化鉍摻雜對(duì)鈮酸鉀鈉無鉛壓電陶瓷性能的影響[J]. 劉代軍,杜紅亮,唐福生,羅發(fā),周萬城. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2007(09)
[4]高溫壓電陶瓷研究進(jìn)展[J]. 文海,王曉慧,趙巍,王浩,李龍土,桂治輪. 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2006(11)
[5]無鉛無鉍壓電陶瓷(Na0.5K0.44Li0.06)Nb0.95Sb0.05O3-Na5.6Cu1.2Sb10O29研究[J]. 鄭立梅,王矜奉,臧國忠,趙明磊,亓鵬,杜鵑,蘇文斌,明保全. 科學(xué)通報(bào). 2006(16)
[6]PbNb2O6基壓電陶瓷的高溫介電性能研究[J]. 周靜,趙然,陳文. 陶瓷學(xué)報(bào). 2005(03)
[7]鋯鈦酸鉛陶瓷的燒結(jié)研究進(jìn)展[J]. 王軍霞,楊世源,牟國洪. 陶瓷. 2004(06)
[8]高居里點(diǎn)壓電陶瓷材料研究進(jìn)展[J]. 王守德,劉福田,蘆令超,常鈞,程新. 山東陶瓷. 2004(04)
[9]添加SrO或SnO2對(duì)Ba4.5(Nd0.84,Bi0.16)9Ti18O54微波陶瓷介電性能的影響[J]. 石勇,靳正國,程志捷,魏學(xué)忠,徐廷獻(xiàn). 硅酸鹽學(xué)報(bào). 2003(06)
[10]銀摻雜對(duì)低溫?zé)Y(jié)四元系陶瓷壓電性能的影響[J]. 胡曉冰,李龍土,左如忠,桂治輪. 壓電與聲光. 2003(01)
本文編號(hào):3119498
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