隨著科技的迅猛發(fā)展,芯片呈現(xiàn)高度集成,高運算效率,低功耗的特點。相應(yīng)地,電子芯片封裝材料為實現(xiàn)其與金屬導(dǎo)線的共燒的要求,需選用低溫共燒陶瓷（LTCC）材料。BaAlBSi系玻璃陶瓷因其綜合性能優(yōu)越而作為芯片二級封裝材料應(yīng)用。本文主要對該體系玻璃陶瓷進行摻雜改性研究。BaAlBSi系玻璃陶瓷樣品的制備是由傳統(tǒng)固相法完成的。針對摻雜樣品的熱學(xué)性能、機械性能、結(jié)晶相組成、顯微圖片以及電學(xué)參數(shù)進行研究,分析摻雜不同添加劑對材料體系的影響。通過摻雜添加劑發(fā)現(xiàn),適量的MnO促進了BaAlBSi玻璃陶瓷結(jié)晶,從而提升BaAlBSi玻璃陶瓷的機械性能。摻入1wt%的MnO時,玻璃陶瓷樣品的抗彎強度增大為201.2MPa,楊氏模量為79.7GPa,優(yōu)良的介電常數(shù)為6.31,介電損耗僅4.54×10^-4且熱膨脹系數(shù)（CTE）為11.7×10^-6/°C,綜合參數(shù)最優(yōu)。摻0.5wt%Bi₂O₃入BaAlBSi玻璃陶瓷中,得到了機械強度較高（抗彎強度:171.7MPa,楊氏模量:71.6GPa）,介電常數(shù)優(yōu)良（ε=6.17）... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

芯片結(jié)構(gòu)示意圖

BaAlBSi系高膨脹系數(shù)玻璃陶瓷封裝材料的制備工藝流程圖

摻雜不同含量MnO的BaAlBSi玻璃陶瓷樣品的XRD通過對比表3-1中數(shù)據(jù)我們可以顯而易見地發(fā)現(xiàn)隨著MnO摻雜量的增加試樣


本文編號：3083198