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靜電作用調(diào)控下SiC材料的拋光研究

發(fā)布時間:2021-03-11 13:23
  隨著半導體電子器件、空間光學反射鏡、汽車工業(yè)和航空航天的迅速發(fā)展,碳化硅材料因其良好的機械性能和化學穩(wěn)定性,在各個領域得到了廣泛的應用。然而,碳化硅材料硬度高,脆性大,加工時容易出現(xiàn)損傷;瘜W機械拋光(CMP)可以提高材料去除率和拋光后工件的表面質(zhì)量。因此,對化學機械拋光(CMP)的研究具有重要的意義。化學機械拋光技術(shù)包括機械作用和化學作用,是兩者共同作用的結(jié)果。本文分別研究機械作用及化學機械協(xié)同作用對碳化硅去除速率和拋光后表面質(zhì)量的影響。本文主要研究工作如下:(1)拋光工藝參數(shù)的選擇和優(yōu)化。在拋光實驗中,加工工藝參數(shù)會影響到材料的去除速率和表面質(zhì)量。因此,為了分析拋光過程中各工藝參數(shù)對拋光過程的影響,進行拋光實驗,研究分別改變壓力、轉(zhuǎn)速和磨粒等參數(shù)時的材料去除速率和表面質(zhì)量,得到不同參數(shù)變化下的拋光規(guī)律,并進行工藝優(yōu)化。(2)靜電作用調(diào)控原理。拋光液中添加的電解質(zhì)會影響到雙電層結(jié)構(gòu),進而影響材料的去除速率。因此,根據(jù)膠體之間的相互作用力,以泊松-玻爾茲曼模型為基礎推導不同表面之間的雙電層力,建立DLVO作用下的受力模型,計算不同電解質(zhì)條件下的德拜長度,獲得改變電解質(zhì)的濃度及組分對雙電... 

【文章來源】:吉林大學吉林省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:81 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

靜電作用調(diào)控下SiC材料的拋光研究


碳化硅材料的應用SiC雖然有著諸多優(yōu)異的性能,但是在斷裂時表現(xiàn)出較低的韌性,因此SiC

晶體結(jié)構(gòu),碳化硅材料,化學機械拋光


們采用化學機械拋光技術(shù),提高材料去除速率,同時減少表面損傷和破壞,提高表面質(zhì)量。1.1.2 課題來源本課題來源于國家自然科學基金項目——靜電作用調(diào)控下反應燒結(jié) SiC 同步改性拋光研究(51505185)。1.2 碳化硅材料(SiC)及化學機械拋光技術(shù)概述1.2.1 碳化硅材料概述SiC 的相對分子質(zhì)量為 40.7,相對密度為 3.16~3.2g 3 。SiC 硬度大,其莫氏硬度達到 9.5。SiC 不容易發(fā)生塑性變形,是一種典型的硬脆性材料[19]。

半導體器件,硅基,電子器件,碩士學位論文


吉林大學碩士學位論文如圖 1.3 為 SiC 器件和傳統(tǒng) Si 基半導體器件體積的對比。此外,SiC 電子器件的導通電阻小,導通時的損耗小,使得開關損耗降低,提高了系統(tǒng)效率[23-25]。中車研制出的 SiC 電子器件產(chǎn)品,應用于地鐵和客車,達到國內(nèi)同行業(yè)領先水平[26]。

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本文編號:3076531

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