發(fā)布時間：2021-02-21 02:38

　　采用金屬氘化物電極的真空弧離子源,可產(chǎn)生強流氘離子束,在中子發(fā)生器、強流加速器等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。本文針對一種新型金屬氘化物材料(Zr_0.45Ti_0.5Cu_0.05D_x),研究了基于該材料制作的電極源片,及其表面狀態(tài)和晶體結(jié)構(gòu),并通過磁質(zhì)譜分析方法研究了采用該電極源片的真空弧離子源放電性能。研究結(jié)果表明:這種新型金屬氘化物材料吸氘（金屬氘原子比約1:（1.6～1.7））前后體漲約18%,表面無宏觀裂紋;微觀下存在微細(xì)裂紋,裂紋寬度均小于100 nm。離子源放電獲得的氘離子成分比例較普通氘化鈦電極情況穩(wěn)定性高。另外,隨著放電弧流的增加,氘離子比例有所下降,表明大放電弧流下,源片中低熔點的銅元素氣化量增大,降低了氘原子的電離效率。本文研究為基于金屬氘化物電極的真空弧離子源電極材料選擇提供了一種新的選擇。 

【文章來源】：核技術(shù). 2020,43(06)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實驗方法
2 實驗結(jié)果與討論
3 結(jié)語


【參考文獻】：
期刊論文
[1]離子源及厚靶參數(shù)對氘氚反應(yīng)中子源中子產(chǎn)額的影響[J]. 楊振,龍繼東,藍朝暉,董攀,彭宇飛,石金水.  核技術(shù). 2012(08)



本文編號：3043722