以十六烷基三甲基溴化銨（CTAB）為表面活性劑,氯硅烷殘液為硅源,在水溶液中水解制備了較高比表面積多孔二氧化硅粉體。研究了在水解體系中引入表面活性劑CTAB對(duì)二氧化硅粉體比表面積、孔徑和孔容的影響�？刂艭TAB加入量和溶液的酸堿度,可以提高二氧化硅粉體的比表面積、孔徑和孔容。二氧化硅粉體比表面積在100～750 m²·g^-1之間。 

【文章來(lái)源】：化學(xué)研究與應(yīng)用. 2020,32(07)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

二氧化硅的XRD譜圖

對(duì)在CTAB存在下氯硅烷殘液水解制得的二氧化硅粉末進(jìn)行了FT-IR測(cè)試,分析結(jié)果如圖2所示。由圖2可見(jiàn),470 cm-1處的吸收峰為Si-O鍵的彎曲振動(dòng)峰,795和1075 cm-1處的峰分別對(duì)應(yīng)Si-O-Si鍵的對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰和反對(duì)稱伸縮振動(dòng)峰,1630 cm-1是水的H-O-H鍵的彎曲振動(dòng)峰,3440 cm-1是硅羥基和結(jié)合水的反對(duì)稱O-H鍵伸縮振動(dòng)峰。與常見(jiàn)低溫制備的二氧化硅FT-IR圖譜一致[8-9],表明粉體為二氧化硅。2.3 水解工藝參數(shù)對(duì)二氧化硅結(jié)構(gòu)的影響

CTAB的飽和濃度為13g·L-1(20℃),臨界膠束濃度為9.0×10-4mol·L-1(20oC)[10]。二氧化硅粉體制備過(guò)程中控制CTAB的濃度在其飽和濃度的0.2倍以內(nèi)。控制氯硅烷殘液的加入量在(10～50)mL·L-1,控制加料速度�？焖贁嚢�。水解終了時(shí)溶液pH≈1。水解溶液初始狀態(tài)為添加與不添加堿性物質(zhì)兩種情況。未添加堿性物質(zhì)時(shí)不同CTAB濃度對(duì)氯硅烷殘液水解制備二氧化硅的影響,采用低溫氮?dú)馕摳椒椒˙ET測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)制備的二氧化硅進(jìn)行分析,分析結(jié)果如表1、圖3、圖4所示。由圖3可見(jiàn):制得二氧化硅粉體皆為I V型吸附等溫線,皆有H1型滯后環(huán)[11-12],表明所得材料皆為多孔材料。圖中樣品A～C與表1中樣品一一對(duì)應(yīng),樣品C與表2中樣品1對(duì)應(yīng)。

【參考文獻(xiàn)】：
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