發(fā)布時間：2021-01-19 12:03

　　直拉法單晶硅生長的工藝過程非’常復(fù)雜,在單晶爐上需要安裝各種傳感器對環(huán)境參數(shù)進行實時采集和監(jiān)控,確保各環(huán)境參數(shù)在單晶硅生長過程中能夠穩(wěn)定。等徑生長工藝過程是單晶硅生長過程中最重要、耗時最長的環(huán)節(jié),對生產(chǎn)中的環(huán)境穩(wěn)定性要求苛刻。本文針對晶盛TDR115P-ZJS型單晶爐等徑生長階段的“掉苞”現(xiàn)象的診斷與預(yù)測方法展開研究,達到降低生產(chǎn)過程能耗、原材料損耗的目的,具有理論意義與工程實際應(yīng)用價值。本文在分析國內(nèi)外相關(guān)文獻資料的基礎(chǔ)上完成了如下工作:基于單晶爐拉晶過程的傳感器及相關(guān)過程參數(shù),統(tǒng)計了“掉苞”生長記錄的等徑過程持續(xù)時間分布并得到規(guī)律,抽取了原始樣本點的集合,并做了相應(yīng)的數(shù)據(jù)預(yù)處理,用以進行等徑過程“掉苞”預(yù)測模型的訓(xùn)練;分別針對高斯混合模型和邏輯斯蒂回歸相結(jié)合的異常樣本點檢測模型以及隨機森林的等徑過程“掉苞”判別模型,進行了模型訓(xùn)練和參數(shù)優(yōu)化,并用現(xiàn)場測試數(shù)據(jù)驗證了模型的性能;采用優(yōu)化后的數(shù)據(jù)模型通過現(xiàn)場數(shù)據(jù)進行在線模擬測試,對晶體生長記錄進行實時預(yù)警判別,正確率達到滿意的效果。本文主要內(nèi)容如下:第一章介紹了直拉法單晶硅生長工藝和等徑過程的“掉苞”問題,以及數(shù)據(jù)挖掘的概念和基本流程。... 

【文章來源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：99 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１．１直拉式單晶爐的主要結(jié)構(gòu)??

圖１．２直拉法（“切克勞斯基法”）的工藝流程??直拉法單晶硅的生長流程如下所示：??

?緒論??翁??圖１．３?＜１００＞晶向正常的硅棒??圖１．４“掉蒼”的單晶桂晶體??單晶硅在生長過程中，引起單晶硅發(fā)生位錯的主要原因有固液界面的形狀、??熔體內(nèi)過多的雜質(zhì)、晶體生長的溫場不穩(wěn)定等諸多因素引起的。影響單晶硅固液??界面形狀的主要因素有坩堝的位置、晶體的拉速、坩堝的提升速度、加熱器??的功率、水流量、晶轉(zhuǎn)等；而對于熔體中的雜質(zhì)而言，主要由坩堝溫度、坩堝轉(zhuǎn)??速、氬氣流量、爐內(nèi)壓力等因素影響；而調(diào)整晶轉(zhuǎn)和堝轉(zhuǎn)等參數(shù)能夠改善單晶硅??生長環(huán)境的熱場穩(wěn)定性。??１．３數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)??由于信息技術(shù)和信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，社會中的各行各業(yè)已產(chǎn)生了大量數(shù)據(jù)，而??人們迫切地需要把積累的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為有用的信息和知識。將獲取到的信息和知識??應(yīng)用于生產(chǎn)活動中的各個領(lǐng)域，如工程設(shè)計、生產(chǎn)控制、市場分析和科學(xué)探索等。??而數(shù)據(jù)挖掘技術(shù)能夠幫助人們在企業(yè)的大型數(shù)據(jù)庫中，能夠自動地分析并挖掘其??中的有用信息，從而更好地產(chǎn)生數(shù)據(jù)的應(yīng)用價值。??５??

【參考文獻】：
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本文編號：2986952