在電子材料領域,單一材料的性能很難滿足所有需求,因此復合材料成為研究的熱點。鈣鈦礦陶瓷材料介電、壓電常數(shù)高、模量大,但加工性能差;含氟聚合物壓電材料介電和壓電性能低,但其模量低,可塑性好。因此,本文分別采用原子自由基連轉(zhuǎn)移方法（ATRP）合成了聚偏氟乙烯-三氟乙烯（P（VDF-TrFE））鐵電聚合物;采用溶膠-凝膠法制備了鋯鈦酸鉛鑭（PLZT）陶瓷粉;然后采用溶液流延法制備了 P（VDF-TrFE）/PLZT復合材料。該復合材料具有高介電常數(shù)、高壓電性能、低脆性和低密度等優(yōu)點。論文具體工作如下:1)鑒于傳統(tǒng)P（VDF-TrFE）價格高、不易合成,利用ATRP方法,以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯（P（VDF-CTFE））為原料,將P（VDF-CTFE）中CTFE單元中的Cl原子用H原子完全取代,使CTFE單元轉(zhuǎn)變?yōu)門rFE單元從而制得氫化P（VDF-TrFE）,并表征了其結(jié)構(gòu)和介電性能。2)為獲得細顆粒度的PLZT陶瓷粉末,提高PLZT陶瓷活性,采用溶膠-凝膠法制備了 PLZT陶瓷粉體,經(jīng)壓片和極化處理后,該PLZT陶瓷片33方向上壓電常數(shù)可達121pC/N。3)采用溶液流延法制備了不同質(zhì)量分... 

【文章來源】：西安理工大學陜西省

【文章頁數(shù)】：48 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

PVDF分子鏈構(gòu)象示意圖

P(VDF-TrFE)壓電原理示意圖。 (a) P(VDF-TrFE)駐極體；(b) 沿鐵電軸方P(VDF-TrFE)；(c) 沿鐵電軸方向壓縮 P(VDF-TrFE)igure 1-3 P (VDF-TrFE) piezoelectric schematic diagram. (a) P (VDF-TrFE) eleompressing P (VDF-TrFE) in the direction of the ferroelectric axis; (c) compressin(VDF-TrFE)

緒論3)熱釋電性在某些晶體中，因為溫度變化從而引發(fā)物質(zhì)極化的狀態(tài)發(fā)生變化的現(xiàn)電性(pyroeectricity)，熱釋電體也稱為電元件是具有熱釋電性質(zhì)的材703 年時，荷蘭一位商人發(fā)現(xiàn)在錫蘭購買的電氣石在加熱時會吸引或，因此稱其是錫蘭磁鐵(Ceylon magnet)，因?qū)@種現(xiàn)象的研究，從而現(xiàn)了熱釋電概念。熱釋電效應的本質(zhì)是由于溫度的變化ΔT 導致電位移值變化ΔD：原內(nèi)的電疇是固定方向排列，宏觀上表現(xiàn)出強極性，表面存在電荷，但的變化，例如升溫后熱釋電體內(nèi)的電疇因為分子的熱運動從而排列宏觀上表現(xiàn)出極性減弱，表面的電荷密度降低，其過程如圖 1-4 所示

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：2948270