二碲化鉬由于其由體材料向單層轉(zhuǎn)變時,會由間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋?而且具有與硅類似的能帶隙,而受到了廣泛的關(guān)注。但是由于體材料二碲化鉬原子層之間的范德瓦爾斯力比較大,通過機(jī)械剝離方法制備單層二碲化鉬薄膜是比較困難的,而且此方法下得到大面積的單層薄膜也是不太現(xiàn)實(shí)的,因此如何通過化學(xué)氣相沉積法實(shí)現(xiàn)可控的大面積、高結(jié)晶質(zhì)量的單層或薄層二維二碲化鉬薄膜制備,就成為一個非常重要的研究課題。本論文圍繞通過利用化學(xué)氣相沉積法可控地制備比較大面積、高結(jié)晶質(zhì)量的二維二碲化鉬為基礎(chǔ)展開研究,其研究主要內(nèi)容如下:1、通過改進(jìn)反應(yīng)裝置,實(shí)現(xiàn)在常壓下,通過化學(xué)氣相沉積法,在單溫區(qū)高溫管式爐中制備出二維二碲化鉬薄膜,這使得實(shí)驗(yàn)步驟變得簡單節(jié)省成本。并利用了光學(xué)顯微鏡、拉曼光譜、X射線光電子能譜(XPS)、原子力顯微鏡等對制備出的二碲化鉬薄膜的成膜質(zhì)量進(jìn)行表征分析,證明得到了結(jié)晶質(zhì)量較好的單層和少層的1T’相二碲化鉬薄膜。2、通過調(diào)節(jié)CVD法制備二碲化鉬中的生長溫度、藥品的比例,以及襯底的位置等參數(shù),探究了不同生長條件對于二碲化鉬成膜質(zhì)量的影響,討論了實(shí)現(xiàn)CVD法制備面積和質(zhì)量都較好的的單層和薄層的二碲化鉬薄膜的最適... 

【文章來源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【圖文】：

圖１－１石墨烯（左上角）是碳原子的蜂窩狀晶格；石墨（右上角）可以看作是層狀石墨烯堆??

出現(xiàn)碳原子缺失或是被雜原子所替換的現(xiàn)象，使其電子在移動過程中不會因晶體??缺陷而被干擾到，所以石墨具有非常優(yōu)良的導(dǎo)電性。??圖１－２石墨煤能帶結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇｕｒｅ?１－２?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｇｒａｐｈｅｎｅ??目前，石墨烯己被證實(shí)是一帶隙（價帶頂與導(dǎo)帶底之間的能量范圍）為零的半??導(dǎo)體［７］，而石墨烯的電子結(jié)構(gòu)會隨著層數(shù)以及層間堆疊方式的的變化呈現(xiàn)出不同的??特點(diǎn)，單層石墨烯和雙層石墨悌（Ａ－Ａ方式堆疊）的帶隙為零；［８］而以Ａ－Ｂ堆疊??方式形成的雙層石墨烯由于其帶隙被打開而呈現(xiàn)出了半導(dǎo)體特性。［９］??Ａ－Ａ堆疊?Ａ－Ｂ堆疊??霉嘗馨ｉ．??圖１－３石墨烯Ａ－Ａ堆疊和Ａ－Ｂ堆疊的能帶結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇｕｒｅ?１－３?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?Ａ?Ａ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ?ａｎｄ?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ＡＢ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ??石墨烯具有廣泛的應(yīng)用前景，由于石墨烯的獨(dú)特特性它可以被應(yīng)用于：??３??

?Ａ－Ｂ堆疊??霉嘗馨ｉ．??圖１－３石墨烯Ａ－Ａ堆疊和Ａ－Ｂ堆疊的能帶結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇｕｒｅ?１－３?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?Ａ?Ａ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ?ａｎｄ?ｂａｎｄ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ＡＢ?ｓｔａｃｋｉｎｇ?ｇｒａｐｈｅｎｅ??石墨烯具有廣泛的應(yīng)用前景，由于石墨烯的獨(dú)特特性它可以被應(yīng)用于：??３??


本文編號：2924921