球形二氧化鈦的制備、改性及光降解性能研究
【圖文】:
種 n 型半導體,禁帶寬度比較大。以銳鈦礦相 TiO2為可以計算得到其禁帶寬高達 3.2 eV,再由禁帶寬度 Eg關系,即λ g=1240/ Eg,可以知道以銳鈦礦 TiO2作為光為 387 nm。即當 387 nm 以下波長的光照射在 TiO2表面量之后,受激向上躍遷到達導帶,在導帶上形成帶有負由于電子躍遷留下的空位,即是帶有正電荷性質(zhì)的空穴成了光生電子-空穴對。一般在光催化反應過程中,周種常見的物質(zhì)。外界的 O2或 H2O 分子與光生 e-和 h+結 O2-和·OH,,這些自由基氧化性極強,與有機物結合可以無害的 CO2和 H2O,因而起到了降解有害物的作用;另以把吸附在 TiO2表面的金屬離子由高價降為低價,從至是無毒物質(zhì)[8],于是起到去毒化的作用。激發(fā)過程如
圖 2-1 八位反應器Fig. 2-1 Eight-bit reactor以銳鈦礦相、金紅石相和板鈦礦相三種多、光催化性能最佳的當屬銳鈦礦相。 TiO2樣品進行 XRD 表征分析,通過與標品的出峰位置跟銳鈦礦相 TiO2特征峰O2樣品都是標準的銳鈦礦相 TiO2。果基底基本平整,沒有出現(xiàn)明顯雜峰,雜質(zhì)完全除去,所得最終樣品純度較高。面對應的特征峰位置已在圖中詳細注
【學位授予單位】:西北大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2018
【分類號】:O643.36;TQ134.11
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