【摘要】：硫系玻璃是一種新型的紅外光學(xué)材料,具有紅外透過波段寬、折射率溫度系數(shù)小、可精密模壓成型等優(yōu)點,是較好的紅外光學(xué)系統(tǒng)窗口材料。探究硫系玻璃的鍍膜特性及其高強減反膜的制備技術(shù)將有利于硫系玻璃的進一步推廣和應(yīng)用。本文通過實驗研究了硫系玻璃基底(IRG205,IRG206)耐受薄膜制備工藝的材料特性,明確了基底可承受的離子輔助轟擊強度和時間。在此基礎(chǔ)上探索了硫系玻璃基底(IRG205,IRG206)上8～12μm高強減反膜的制備技術(shù)。針對硫系玻璃基底(IRG205,IRG206)的低軟化點特點,研究了 PECVD技術(shù)低溫沉積DLC薄膜的制備工藝及薄膜特性,探討了硫系玻璃基底(IRG205,IRG206)上低溫沉積高強減反膜的可行性,最終采用組合沉積技術(shù)路線在硫系玻璃基底(IRG205,IRG206)上試制了紅外高強減反膜。研究結(jié)果表明:(1)硫系玻璃基底耐受輔助離子轟擊能力較弱,其轟擊強度和時間需要嚴格控制。(2)采用PECVD技術(shù),在硫系玻璃基底(IRG205,IRG206)上室溫下沉積DLC可行,當薄膜厚度不大于200nm時,薄膜牢固度符合JB/T8226.1-1999標準。(3)不宜采用PECVD技術(shù)沉積8～12μm波段的介質(zhì)光學(xué)薄膜,所制備的薄膜材料在此波段有較強的吸收峰。(4)在硫系玻璃基底(IRG205,IRG206)上采用PVD制備高效減反膜和PECVD制備DLC的組合方法沉積8～12μm高強減反膜可行,薄膜平均透過率大于90%,薄膜抗磨強度和環(huán)境試驗達到了 JB/T8226.1-1999標準要求。
[Abstract]:Sulfur glass is a new kind of infrared optical material. It is a good window material for infrared optical system because of its wide infrared transmission band, low temperature coefficient of refractive index and precision molding. It is helpful for the further popularization and application of sulfur glasses to explore the coating characteristics and the preparation technology of high strength antireflection film. In this paper, the material properties of the preparation process of sulfur-based glass substrates (IRG205,IRG206) are studied experimentally, and the ion-assisted bombardment intensity and time of the substrates are determined. On this basis, the preparation technology of 8 ~ 12 渭 m high strength antireflection film on sulfur glass substrate (IRG205,IRG206) was investigated. In view of the characteristics of low softening point of sulfur glass substrates (IRG205,IRG206), the preparation process and characteristics of DLC thin films deposited by PECVD technique at low temperature were studied. The feasibility of low temperature deposition of high strength antireflection films on IRG205,IRG206 substrates was discussed. Finally, the infrared high strength antireflection film was prepared on the sulfur glass substrate (IRG205,IRG206) by combined deposition technology. The results show that: (1) the resistance of sulfur glass substrate to auxiliary ion bombardment is relatively weak, and its bombardment intensity and time need to be strictly controlled. (2) it is feasible to deposit DLC on IRG205,IRG206 substrate at room temperature by using PECVD technique. When the thickness of the film is less than that of 200nm, it is feasible to deposit DLC on the glass substrate (IRG205,IRG206) at room temperature. (3) it is not advisable to use the PECVD technique to deposit 8 ~ 12 渭 m dielectric optical thin films. The prepared thin films have a strong absorption peak in this band. (4) it is feasible to prepare 812 渭 m high strength antireflection films by using PVD to prepare high performance antireflection films and PECVD to prepare DLC on sulfur glass substrates (IRG205,IRG206). The average transmittance of the film is more than 90. The antiwear strength and environmental test of the film meet the requirements of JB/T8226.1-1999 standard.
【學(xué)位授予單位】：西安工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2017
【分類號】：TB383.2;TQ171.7

【參考文獻】

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本文編號：2261978