【摘要】：現(xiàn)代科技的核心力量便是納米科技。一維納米材料因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的物理化學(xué)性質(zhì),成為構(gòu)筑納米元器件的理想材料。在眾多納米材料中,WO3因其在電致色變、氣敏傳感器、阻變存儲(chǔ)器和超導(dǎo)方面有著顯著的特性,受到廣泛的關(guān)注與研究。本文在室溫下測(cè)試了多種氛圍對(duì)WO3納米線電學(xué)性能的影響,對(duì)WO3納米線表現(xiàn)出的憶阻效應(yīng)進(jìn)行了深入研究。通過(guò)多次實(shí)驗(yàn),我們發(fā)現(xiàn)WO3納米線所表現(xiàn)出的憶阻性能是可以被調(diào)控的。主要研究結(jié)果如下:1、本文使用的WO3納米線,是通過(guò)水熱法得到的單分散性好的納米線。我們對(duì)所制備的WO3納米線進(jìn)行了表征(包括XRD,SEM,EDS等),并利用深紫外光刻微加工技術(shù)將其構(gòu)建成一維納米器件。2、室溫下,我們?cè)诳諝夂驼婵窄h(huán)境中通過(guò)不同電壓對(duì)WO3納米器件進(jìn)行循環(huán)伏安法測(cè)試,發(fā)現(xiàn)其為雙端歐姆接觸,并在大電壓下表現(xiàn)出良好的憶阻效應(yīng)。實(shí)驗(yàn)中通過(guò)恒壓加脈沖的測(cè)試方法更直觀地觀察到了憶阻特性。3、在室溫下測(cè)試了WO3一維納米器件在H2S氣氛中以及大氣中的電學(xué)性能。發(fā)現(xiàn)在H2S氣氛下WO3納米器件電導(dǎo)有所增加,憶阻性能減弱。與此同時(shí),做了同族元素化合物H2O氣氛下(即不同濕度下)的對(duì)比實(shí)驗(yàn)。發(fā)現(xiàn)在H2O的影響下WO3納米器件電導(dǎo)減小,憶阻性能減弱。4、本文還通過(guò)改變測(cè)試條件實(shí)現(xiàn)了對(duì)WO3納米線器件憶阻性能的控制,不僅能改變憶阻特性大小,還能將WO3納米線的憶阻特性進(jìn)行反轉(zhuǎn),即將原I-V曲線表現(xiàn)為上相交的“8”字形改變?yōu)橄孪嘟坏摹?”字形。我們希望在后續(xù)的研究中能夠針對(duì)WO3納米線對(duì)氣體的吸附作用做更多的研究,同時(shí)希望在WO3納米線憶阻效應(yīng)上實(shí)現(xiàn)精確的控制。
[Abstract]:The core force of modern science and technology is nanotechnology. Due to its unique structure and excellent physical and chemical properties, one-dimensional nanomaterials have become the ideal materials for the fabrication of nano-components. WO _ 3 has attracted extensive attention for its remarkable properties in electrochromic, gas sensitive sensors, resistive memory and superconducting materials. The effects of various atmosphere on the electrical properties of WO3 nanowires were measured at room temperature, and the memory effect of WO3 nanowires was studied. Through many experiments, we found that the amnesia performance of WO3 nanowires can be regulated. The main results are as follows: 1. The WO3 nanowires used in this paper are monodisperse nanowires obtained by hydrothermal method. We characterized the WO3 nanowires (including XRDX SEMN EDS, etc.) and fabricated them into one-dimensional nanowires at room temperature by deep UV lithography. The cyclic voltammetry of WO3 nanodevices under different voltages in air and vacuum environment shows that it is a two-terminal ohmic contact and exhibits a good memory effect at high voltage. The electrical properties of WO3 one-dimensional nanodevices in H _ 2S atmosphere and atmosphere were measured at room temperature by the method of constant voltage and pulse. It is found that in H _ 2S atmosphere, the conductivity of WO3 nanodevices increases and the amnesia performance weakens. At the same time, a comparative experiment was carried out in the atmosphere of homologous element compound H _ 2O (i.e. under different humidity). It is found that under the influence of H2O, the electrical conductivity of WO3 nanowires is reduced, and the amnesia performance of WO3 nanowire devices is weakened .4. this paper also realizes the control of WO3 nanowire devices by changing the test conditions, which can not only change the magnitude of amnesia characteristics, but also improve the performance of WO3 nanowire devices. The memory characteristics of WO3 nanowires can also be reversed, that is to say, the original I-V curve is changed from the "8" shape of the upper intersection to the "8" shape of the lower intersection. We hope that we can do more research on the adsorption of WO3 nanowires to gas in the following research, and we hope to control the recall effect of WO3 nanowires accurately.
【學(xué)位授予單位】：湖南師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TQ136.13;TB383.1

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本文編號(hào)：2176616