【摘要】：利用化學(xué)氣相沉積法,在Si襯底、藍(lán)寶石襯底和SiC襯底上生長(zhǎng)石墨烯材料,研究石墨烯的表面形貌、缺陷、晶體質(zhì)量和電學(xué)特性。原子力顯微鏡、光學(xué)顯微鏡和拉曼光譜測(cè)試表明,Si_3N_4覆蓋層可以有效抑制3CSiC緩沖層的形成;低溫生長(zhǎng)有利于保持材料表面的平整度,高溫生長(zhǎng)有利于提高材料的晶體質(zhì)量。5.08cm藍(lán)寶石襯底上石墨烯材料,室溫下非接觸Hall測(cè)試遷移超過1000cm2·V~(-1)·s~(-1),方塊電阻不均勻性為2.6%。相對(duì)于Si襯底和藍(lán)寶石襯底,SiC襯底上生長(zhǎng)石墨烯材料的表面形態(tài)學(xué)更好,缺陷更低,晶體質(zhì)量和電學(xué)特性更好,遷移率最高為4900cm2·V~(-1)·s~(-1)。
[Abstract]:Graphene materials were grown on Si, sapphire and SiC substrates by chemical vapor deposition. The surface morphology, defects, crystal quality and electrical properties of graphene were investigated. Atomic force microscopy (AFM), optical microscopy and Raman spectroscopy showed that the Si3NMA4 coating could effectively inhibit the formation of 3CSiC buffer layer, and the low temperature growth was beneficial to maintain the smoothness of the surface of the material. The high temperature growth is beneficial to improve the crystal quality of the material on the sapphire substrate of 5.08 cm. The non-contact Hall test migration exceeds the 1000cm2 V-1 s-1 at room temperature, and the inhomogeneity of the square resistance is 2.6%. Compared with Si substrates and sapphire substrates, graphene materials have better surface morphology, lower defects, better crystal quality and better electrical properties, and the highest mobility is 4900cm2 V-1 s-1.
【作者單位】： 河北半導(dǎo)體研究所專用集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61306006,61674131)~~
【分類號(hào)】：TQ127.11

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本文編號(hào)：2154206