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AlN含量對(duì)SiC基復(fù)相陶瓷性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2018-05-01 16:26

  本文選題:碳化硅 + 氮化鋁; 參考:《人工晶體學(xué)報(bào)》2016年11期


【摘要】:以Mg O-Ce O2為燒結(jié)助劑,采用熱壓燒結(jié)工藝在1850℃下制備了SiC基復(fù)相陶瓷。研究了不同Al N含量對(duì)復(fù)相陶瓷致密性與導(dǎo)熱性能的影響。結(jié)果表明:不添加Al N時(shí),試樣致密性最差,氣孔率和體積密度分別為4.71%和2.43 g/cm3。Al N含量升高至5wt%時(shí),試樣致密性有所提高。Al N含量進(jìn)一步升高至10wt%~20wt%,試樣完全致密,氣孔率和體積密度分別保持在0.20%和3.31 g/cm3。在A(yíng)l N含量為10wt%時(shí),樣品具有最高的熱導(dǎo)率51.62 W·m-1·K-1,同時(shí)彎曲強(qiáng)度和斷裂韌性達(dá)到頂點(diǎn),分別為731.3 MPa和7.3 MPa·m1/2。
[Abstract]:SiC based multiphase ceramics were prepared at 1850 鈩,

本文編號(hào):1830181

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