本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《南京理工大學(xué)》 2012年

基于游離金剛石磨料的SiC單晶片（0001）C面研磨研究

余澤通  

【摘要】：單晶碳化硅具有良好的熱特性、電氣特性、耐磨性和較高的硬度,廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體照明、航空航天、信號(hào)傳輸、雷達(dá)等眾多領(lǐng)域,發(fā)展前景十分廣闊。無(wú)論是作為半導(dǎo)體的襯底,還是制作集成電路材料,均對(duì)其表面加工精度和完整性有著非常嚴(yán)格的要求,傳統(tǒng)的加工方法存在基片表面損傷嚴(yán)重,效率低、成本高等諸多缺點(diǎn),無(wú)法滿足全局平坦化的加工目標(biāo)。 針對(duì)碳化硅基片加工中存在的問(wèn)題,本文提出了碳化硅基片的軟磨料研磨加工方法,針對(duì)碳化硅基片材料的特性,本文綜合運(yùn)用正交實(shí)驗(yàn)法、單因素實(shí)驗(yàn)研究和極差分析的方法,對(duì)SiC單晶片進(jìn)行研磨試驗(yàn),首先優(yōu)化了研磨膏成分含量,設(shè)計(jì)了粒度、研磨盤轉(zhuǎn)速、載物盤轉(zhuǎn)速、研磨壓力對(duì)材料去除率和表面粗糙度影響的單因素實(shí)驗(yàn),最后分析了研磨膏的去除原理,深入探討了單磨粒研磨的加工運(yùn)動(dòng)機(jī)理。實(shí)驗(yàn)表明：軟磨料砂輪磨削碳化硅基片可以獲得超光滑低損傷的加工表面：研磨膏的最優(yōu)配方為助研劑8%,分散劑28%,增稠料20%,潤(rùn)滑料18%,磨料6%,調(diào)和劑20%；研磨壓力和磨料粒徑對(duì)材料的去除率影響較大；研磨盤的轉(zhuǎn)速比載物盤的轉(zhuǎn)速對(duì)去除率影響要大,通過(guò)研磨機(jī)理分析驗(yàn)證了實(shí)驗(yàn)結(jié)果的正確性。為同行們繼續(xù)研究碳化硅基片超精密加工提供了參考數(shù)據(jù)。

【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：南京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2012
【分類號(hào)】：TN304
【目錄】：

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3 記者 盧潔葵 杜大健;[N];人民郵電;2002年

4 陳路 一木;[N];中國(guó)電子報(bào);2002年

5 本報(bào)記者 趙敏;[N];廠長(zhǎng)經(jīng)理日?qǐng)?bào);2002年

6 ;[N];中國(guó)電子報(bào);2002年

7 記者 許偉濤　詹長(zhǎng)松;[N];焦作日?qǐng)?bào);2010年

8 朱獻(xiàn);[N];中國(guó)建材報(bào);2006年

9 河南省濟(jì)源太行水泥有限公司 朱獻(xiàn);[N];中國(guó)建材報(bào);2006年

10 本報(bào)記者 曹開(kāi)彬;[N];中國(guó)計(jì)算機(jī)報(bào);2000年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 程萍;非故意摻雜4H-SiC本征缺陷及退火特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

2 趙寒月;金屬/SiC界面勢(shì)反演和應(yīng)用[D];清華大學(xué);2009年

3 馬格林;一種新的SiC外延材料質(zhì)量評(píng)估方法[D];西安電子科技大學(xué);2011年

4 張倩;4H-SiC雙外延基區(qū)雙極晶體管模型與實(shí)驗(yàn)研究[D];西安電子科技大學(xué);2012年

5 王艷輝;金剛石磨料表面鍍鈦層的制備、結(jié)構(gòu)、性能及應(yīng)用[D];燕山大學(xué);2003年

6 苗瑞霞;4H-SiC外延材料低位錯(cuò)密度關(guān)鍵技術(shù)研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

7 吳仁兵;形貌多元化SiC納米材料生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)及其性能研究[D];浙江大學(xué);2009年

8 魏艷君;磁控濺射SiC薄膜制備及其場(chǎng)發(fā)射相關(guān)性能研究[D];燕山大學(xué);2010年

9 鄒茂華;離心鑄造SiC顆粒局部增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料活塞的組織性能研究[D];重慶大學(xué);2010年

10 張發(fā)生;4H-SiC同質(zhì)外延薄膜及其高壓肖特基二極管器件研究[D];湖南大學(xué);2010年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 余澤通;基于游離金剛石磨料的SiC單晶片（0001）C面研磨研究[D];南京理工大學(xué);2012年

2 趙樹(shù)峰;SiC晶片加工工藝及其對(duì)晶片表面的損傷[D];西安理工大學(xué);2010年

3 胡碧俊;往復(fù)式電鍍金剛石線鋸旋轉(zhuǎn)點(diǎn)切割SiC單晶的試驗(yàn)研究[D];西安理工大學(xué);2010年

4 潘國(guó)輝;多孔陽(yáng)極氧化鋁模板的制備、性質(zhì)和沉積其模板上的低維SiC材料的研究[D];蘭州大學(xué);2006年

5 張智;摻N的4H-SiC第一性原理研究[D];西安電子科技大學(xué);2011年

6 蓋慶豐;4H-SiC外延材料缺陷的檢測(cè)與分析[D];西安電子科技大學(xué);2010年

7 劉強(qiáng);新型SiC光導(dǎo)開(kāi)關(guān)特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2011年

8 徐飛;原位合成莫來(lái)石晶須結(jié)合SiC泡沫陶瓷的制備[D];武漢理工大學(xué);2010年

9 趙淑芳;反向原子轉(zhuǎn)移自由基聚合修飾納米SiC的研究[D];河北理工大學(xué);2010年

10 劉光輝;離心鑄造SiC顆粒增強(qiáng)鋁基復(fù)合材料活塞成形及組織性能研究[D];重慶大學(xué);2010年

  本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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本文編號(hào)：180514