本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

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顯測微顯微、測量、微細(xì)加工技術(shù)與設(shè)顯微備、量、細(xì)加工技術(shù)與設(shè)備!"#$%&#%’(，!()&*$(+(,-，!"#$%.)/$"#)-"%,012*"’+(,-

——納米級ULSI關(guān)鍵工藝技術(shù)—化學(xué)機械拋光

張楷亮，，宋志棠，封松林，!"#$%&’(

（中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，半導(dǎo)體功能薄膜工程技術(shù)研究中心，

信息功能材料國家重點實驗室，上海

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摘要：,!器件尺寸的納米化，要求高的光刻曝光分辨率，在采用短波長和大數(shù)值孔徑曝光系統(tǒng)提高分辨率的同時導(dǎo)致了焦深變淺，進(jìn)而對晶片表面的平坦化要求越來越高。在比較了,!工藝中的四種平坦化技術(shù)基礎(chǔ)上，重點綜述了唯一可以實現(xiàn)全局平坦化的化學(xué)機械拋光（!-.）方法的發(fā)展、應(yīng)用及展望。

關(guān)鍵詞：超大規(guī)模集成電路；化學(xué)機械拋光；納米；拋光液；全局平坦化中圖分類號：23&",4!

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%引言

件/片。為降低!"延遲，01結(jié)構(gòu)采用了立體化和布線多層化。隨著特征尺寸的微細(xì)化，光刻精度要求越來越高，如果襯底或01材料表面凹凸不平，對焦時難度增加，甚至無法全局曝光，影響光刻影

隨著集成電路沿著摩爾定律的飛速發(fā)展，集成電路的特征尺寸逼近納米級，集成度高達(dá)數(shù)億元器

收稿日期：!""#$%"$&"

基金項目：國家’(&計劃基金項目資助（!""&))&"!*!"，!""#))&"!+!"）；上海市納米科技與產(chǎn)業(yè)發(fā)展促進(jìn)中心納米專項基金項目資助（"&,!-."%(，"#,!-."%!）

微納電子技術(shù)!""#年第$期%%&

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