本文選題：石墨烯納米帶 + 電子輸運(yùn)性質(zhì)　； 參考：《西南科技大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：石墨烯表現(xiàn)出許多非同尋常的物理性質(zhì)而備受關(guān)注,比如：反常量子Hall效應(yīng),Klein遂穿,最小電導(dǎo)率等。它很可能替代硅而成為制備下一代光電器件的首選材料,因此對(duì)石墨烯材料的研究具有很高的理論和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。由于實(shí)驗(yàn)上很難制備高質(zhì)量、無缺陷的石墨烯,因此對(duì)缺陷石墨烯的研究成為熱點(diǎn)。本論文采用緊束縛近似結(jié)合遞歸格林函數(shù)方法,計(jì)算了完美的石墨烯納米帶電子能帶結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)性質(zhì),研究了缺陷石墨烯納米帶的電子結(jié)構(gòu)與輸運(yùn)性質(zhì),得到以下結(jié)論：1、對(duì)邊界吸附和邊界空位兩種情況的金屬性石墨烯納米帶的研究表明,邊界吸附和邊界空位對(duì)體系電導(dǎo)有很明顯的影響。隨著缺陷濃度的增大,體系電導(dǎo)受到的壓制就越明顯,同時(shí),出現(xiàn)一個(gè)電導(dǎo)溝。研究發(fā)現(xiàn),電子態(tài)的局域性導(dǎo)致了電導(dǎo)溝的產(chǎn)生。2、計(jì)算了體空位缺陷石墨烯納米帶的電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)性質(zhì),結(jié)果表明,電導(dǎo)曲線對(duì)體空位的依賴性同樣很敏感。當(dāng)體系有一個(gè)單原子空位時(shí),發(fā)現(xiàn)有電導(dǎo)溝存在,且量子化的電導(dǎo)臺(tái)階平滑化了。當(dāng)體系存在兩個(gè)體空位時(shí),我們發(fā)現(xiàn)納米帶的電導(dǎo)曲線在低能時(shí)存在共振透射峰,且透射峰的數(shù)目和兩個(gè)體空位間的距離密切相關(guān),即,當(dāng)距離每增加約三個(gè)超原胞時(shí),透射峰就會(huì)增加一個(gè)。這種奇特的物理性質(zhì)可能為實(shí)驗(yàn)提供指導(dǎo)。
[Abstract]:Graphene shows many unusual physical properties, such as anomalous quantum Hall effect Klein penetration, minimum conductivity and so on.It is likely to replace silicon as the preferred material for the preparation of next generation optoelectronic devices. Therefore, the study of graphene materials has a high theoretical and practical application value.Because it is difficult to prepare high-quality and non-defect graphene experimentally, the research of defective graphene has become a hot topic.In this paper, the tight-binding approximation combined with the recursive Green's function method is used to calculate the electron band structure and transport properties of the perfect graphene nanoribbons, and the electronic structure and transport properties of the graphene nanoribbons with defects are studied.The following conclusions are obtained: 1. The study of gold graphene nanobelts with boundary adsorption and boundary vacancy shows that the boundary adsorption and boundary vacancy have a significant effect on the conductance of the system.With the increase of defect concentration, the compaction of the conductance of the system is more obvious, at the same time, there is a conductivity ditch.It is found that the localization of electronic states leads to the generation of conductance grooves. The electronic structure and transport properties of bulk vacancy defects graphene nanobelts are calculated. The results show that the conductance curves are also sensitive to bulk vacancies.When there is a single atomic vacancy in the system, a conductivity channel is found and the quantized conductance step is smoothed.When there are two bulk vacancies in the system, we find that the conductance curve of nanobelts has a resonance transmission peak at low energy, and the number of transmission peaks is closely related to the distance between the two voids, that is, when the distance increases by about three supercells,The transmission peak will increase by one.This peculiar physical property may provide guidance for the experiment.
【學(xué)位授予單位】：西南科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TQ127.11;TB383.1

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本文編號(hào)：1748165