本文選題：多晶硅　切入點：界面　出處：《人工晶體學(xué)報》2017年10期

【摘要】：論述了多晶硅晶體生長技術(shù)的研究現(xiàn)狀,探討了多晶硅在定向凝固過程中的生長機制,重點闡述了多晶硅定向生長中固-液界面的形貌、雜質(zhì)分布、數(shù)學(xué)模型、數(shù)值模擬以及外場對界面調(diào)控的影響,歸納總結(jié)目前國內(nèi)外多晶硅生長界面的研究現(xiàn)狀,展望了多晶硅晶體生長過程中固-液界面調(diào)控技術(shù)的發(fā)展前景。
[Abstract]:The research status of polysilicon crystal growth technology is reviewed, and the growth mechanism of polysilicon during directional solidification is discussed. The morphology, impurity distribution and mathematical model of solid-liquid interface in polycrystalline silicon directional growth are described emphatically.Numerical simulation and the effect of external field on interface regulation are summarized. The research status of polysilicon interface is summarized and the development prospect of solid-liquid interface control technology in the process of polycrystalline silicon crystal growth is prospected.
【作者單位】： 江西省高等學(xué)校硅材料重點實驗室;新余學(xué)院新能源科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51664047) 江西省自然科學(xué)基金(20132BAB206021)
【分類號】：O78;TQ127.2

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本文編號：1727451