本文選題：二硫化鎢　切入點(diǎn)：a-C　出處：《浙江工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)》2017年04期

【摘要】：采用磁控濺射技術(shù)在200℃單晶硅片上沉積a-C薄膜,隨后在不同濺射氣壓下沉積WSx薄膜.通過(guò)掃描電鏡、能譜儀、XRD和XPS等分析了薄膜的形貌、成分與微觀結(jié)構(gòu);采用納米壓痕儀、涂層附著力劃痕儀和球盤式摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)測(cè)試了薄膜的力學(xué)與摩擦磨損性能.結(jié)果表明:a-C基底上沉積的WSx薄膜表面平整、結(jié)構(gòu)致密且隨著氣壓升高而變得疏松,膜中WS2呈微晶或非晶結(jié)構(gòu);隨著濺射氣壓升高,薄膜的S與W原子數(shù)比先增大后減小并趨于穩(wěn)定;薄膜硬度逐漸降低,大氣中的摩擦因數(shù)與磨損率均先減小后略微增大.0.8~1.0Pa條件下制備的WSx薄膜摩擦系數(shù)最低(約0.11),磨損率最低為4.34×10-15 m~3/(N·m),性能顯著優(yōu)于Si基底和鋼基底上的WSx薄膜.
[Abstract]:A-C thin films were deposited on 200 鈩，

本文編號(hào)：1721848