本文選題：液相法　切入點：納米材料　出處：《西南大學》2015年碩士論文

【摘要】：納米材料的物理性能與化學性能,均不同于宏觀物質的性能,這使得納米材料越來越受到研究者的關注。納米氧化亞銅作為一種p型半導體材料,禁帶寬度大約為2.10-2.17eV,是少有的能被可見光催化的材料,同時具有無毒、能耗低、來源廣泛、節(jié)約成本等特點,因此近幾年,納米氧化亞銅的制備及其應用成為了人們研究的熱點。本文采用簡便綠色的液相法制備納米氧化亞銅。在溶液中制得產物后,用x-射線衍射儀(XRD)、X-射線能譜(EDX)、掃描電子顯微鏡(SEM)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、透射電子顯微鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)、紫外可見光光度計(UV-vis)等手段對樣品進行了分析和表征。主要內容如下：1.以乙酸銅為銅源,D-果糖為還原劑,在由乙二醇與去離子水組成的溶液中,60℃的水浴條件下反應1小時,可制得紅棕色產物。對產物進行分析表征,結果表明,產物為分散良好、粒徑均勻的球形納米氧化亞銅,其平均直徑約為500nm。反應溫度及乙二醇與水的比例對產物形貌有著非常重要的影響。在不同反應時間下,探索了球形納米顆粒的生長過程,并進一步得出了球形顆粒的生長機理。紫外可見光光度計分析制備得到的產物,可知產物在504nm處具有較強的吸收峰。通過在可見光下對甲基橙溶液的光催化性能研究,表明制備得到的球形納米氧化亞銅具有良好的光催化性能,催化效率達到85%,有望用于污水治理。2.室溫下,將硅片粘附在反應燒杯的底部,以乙酸銅為銅源,抗壞血酸為還原劑,在乙二醇與去離子水組成的溶液中反應1小時并靜置1小時之后,在硅片上沉積納米氧化亞銅薄膜。分析表明,薄膜由平均粒徑為300nm的球形氧化亞銅顆粒組成,厚度為1.7μm。紫外可見光光度計分析可知產物在515nm處具有較強的吸收峰。使用制備的薄膜與質量分數(shù)為2%的過氧化氫溶液在可見光下催化降解甲基橙溶液,結果表明,制備的納米氧化亞銅薄膜與過氧化氫具有良好的光催化協(xié)同效應,H2O2溶液/Cu2O薄膜對甲基橙的降解可達到100%。3.超聲波條件下,乙酸銅做銅源,D-果糖做還原劑,在不同的溶劑(乙二醇與去離子水以不同比例混合的溶液)中超聲15min,分別得到了結晶良好的八面體/不同程度的去頂八面體形貌的納米氧化亞銅,其尺寸大約為500nm。在不同的超聲時間下,分別探究了八面體顆粒與不同程度去頂八面體顆粒的生長過程,并進一步探究了其生長機理。使用紫外可見光光度計分析發(fā)現(xiàn),八面體顆粒的納米氧化亞銅在530nm處具有較強的吸收峰,去較小的頂八面體顆粒的納米氧化亞銅在588nm處具有較強的吸收峰,去較大的頂?shù)陌嗣骟w顆粒的納米氧化亞銅在565nm
[Abstract]:The preparation and application of nano - cuprous oxide as a kind of p - type semiconductor material have been studied . The results show that the product is a kind of spherical nano cuprous oxide with good dispersion , low energy consumption , wide source and cost saving . The results show that the product is a kind of spherical nano cuprous oxide with good dispersion and uniform particle size . D - fructose is used as a reducing agent for 15 minutes in different solvents ( solutions mixed with ethylene glycol and deionized water in different proportions ) . The growth process of octahedron particles with different degrees is obtained . The growth mechanism is further explored . The nano cuprous oxide of the octahedron particles has stronger absorption peak at 530 nm , and the nano cuprous oxide of the top octahedron particles has stronger absorption peak at 530 nm .

【學位授予單位】：西南大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TQ131.21;TB383.1

【參考文獻】

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1 王野;楊峰;;納米氧化亞銅的制備及其應用的研究進展[J];化學世界;2011年09期

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本文編號：1712691