本文選題：立方體形貌氧化銦錫　切入點：水熱法　出處：《高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報》2017年07期

【摘要】：以金屬In和SnCl_4·5H_2O為原料,采用水熱法在120~140℃得到In(OH)_3前驅(qū)體,該前驅(qū)體在550℃下煅燒得到立方體形貌的氧化銦錫粉體.研究了水熱反應(yīng)溫度和反應(yīng)時間對粉體形貌和晶型的影響.通過熱分析儀(TG-DSC)、X射線衍射儀(XRD)、拉曼光譜儀(Raman)、透射電子顯微鏡(TEM)、四探針電阻儀、X射線光電子能譜儀(XPS)、紫外-可見-近紅外分光光度計以及熒光光譜儀對粉體進(jìn)行了表征,并對水熱反應(yīng)條件為140℃及12 h下制備的c-ITO的光電性能進(jìn)行了分析.結(jié)果表明,隨著水熱反應(yīng)溫度的升高,ITO粉體形貌由立方體向不規(guī)則形貌轉(zhuǎn)變,粉體晶型出現(xiàn)少量的六方相.在水熱反應(yīng)條件為140℃,12 h,銦離子與尿素的摩爾比為1∶5時,得到平均粒徑為230 nm的立方體ITO粉體,其電阻率為1.247Ω·cm,光學(xué)能帶間隙為3.685 e V,與c-In2O3相比其能帶間隙更高,室溫下260 nm激發(fā)波長下粉體出現(xiàn)光致發(fā)光,發(fā)射峰位于藍(lán)光區(qū)域.
[Abstract]:The precursor of In(OH)_3 was obtained from metal in and SnCl_4 5H_2O at 120 鈩，

本文編號：1689240