本文選題：固結磨料研磨墊　切入點：氧化鋯陶瓷　出處：《南京航空航天大學》2017年碩士論文

【摘要】：氧化鋯陶瓷材料因其優(yōu)良的物理和化學特性,已廣泛應用于航天軍工、能源材料、耐火材料、冶金、汽車、機械、儀表、電子通訊、生物功能材料等領域。氧化鋯陶瓷具有硬度高、脆性大的特點,屬于典型的難加工材料。近年來,固結磨料研磨技術憑借其加工效率高、環(huán)境污染小、磨料利用率高、加工質量好等優(yōu)點成為研究的熱點。本文采用固結磨料研磨加工技術開展氧化鋯陶瓷背板的研磨加工,分別研究單晶金剛石及金剛石聚集體磨粒對FAP加工氧化鋯陶瓷背板的影響,優(yōu)化工藝參數,以達到提高氧化鋯陶瓷的材料去除率和表面質量的目的。論文開展的研究工作如下:(1)探索了單晶金剛石粒徑、碳化硅砂漿粒徑以及濃度對FAP加工氧化鋯陶瓷背板的影響。研究表明:隨著金剛石粒徑和碳化硅砂漿粒徑的增大,材料去除率變大,表面質量變差;隨著碳化硅砂漿濃度的增大,材料去除率變大,表面粗糙度基本不變。當碳化硅砂漿粒徑為W5、濃度為3%時,背板表面無明顯缺陷,材料去除率達到427nm/min。(2)研究了金剛石聚集體的原始粒徑對FAP加工氧化鋯陶瓷背板的影響。結果表明:隨著金剛石聚集體磨粒原始粒徑的增大,表面粗糙度變大,材料去除均勻性變差。當研磨液中不加碳化硅砂漿時,原始粒徑為W3的金剛石聚集體磨粒的自銳性最好,材料去除率為70nm/min,表面粗糙度Ra為28.4nm。當研磨液中加入碳化硅砂漿時,原始粒徑為W5的金剛石聚集體磨粒的自銳性最好,材料去除率高達824nm/min,表面粗糙度Ra為37.2nm。(3)優(yōu)化了碳化硅砂漿輔助金剛石聚集體磨粒研磨氧化鋯陶瓷背板的工藝參數。采用正交實驗方法研究了研磨壓力、研磨墊轉速、研磨液流量和三乙醇胺濃度對氧化鋯陶瓷背板材料去除率和表面質量的影響,并綜合優(yōu)化得到最優(yōu)工藝參數組合:研磨壓力21kPa、研磨墊轉速120r/min、研磨液流量80ml/min、三乙醇胺濃度5%。優(yōu)化后的材料去除率為1325nm/min,表面粗糙度Ra為16.5nm。
[Abstract]:This paper studies the influence of the grain size of diamond aggregate , the particle size of silicon carbide mortar and the surface quality . The results show that , with the increase of the grain diameter of diamond aggregate and the grain size of SiC mortar , the removal rate of the material becomes larger and the surface quality is poor . ( 3 ) The effect of grinding pressure , grinding pad rotation speed , grinding fluid flow rate and triethanolamine concentration on the removal rate and surface quality of zirconia ceramic back plate were studied by orthogonal experiment . The optimum technological parameters were optimized . The optimum parameters were as follows : grinding pressure 21 kPa , grinding pad rotation speed 120 r / min , grinding fluid flow rate 80 ml / min , triethanolamine concentration 5 % . The optimized removal rate was 1325nm / min , and the surface roughness Ra was 16.5 nm .

【學位授予單位】：南京航空航天大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2017
【分類號】：TQ174.6

【參考文獻】

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本文編號：1670746