發(fā)布時(shí)間：2018-03-08 01:00

  本文選題：碳納米管　切入點(diǎn)：放電等離子燒結(jié)　出處：《陶瓷學(xué)報(bào)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用碳納米管為碳源,與Ti、Si和B元素,通過(guò)放電等離子燒結(jié)反應(yīng)分別合成了不同的碳化物材料。研究了各產(chǎn)物的物相組成以及微觀形貌。結(jié)果表明,通過(guò)放電等離子燒結(jié)可快速反應(yīng)合成各種碳化物材料。各產(chǎn)物中都有碳納米管團(tuán)聚區(qū)域形成。Ti-碳納米管體系中有較多量的碳納米管殘留。B_4C與SiC產(chǎn)物中殘留少量的碳納米管。B_4C與SiC晶粒發(fā)育良好,晶粒生長(zhǎng)的比較大。在較高溫度(1500℃),形成的B_4C晶粒大小為75μm,大部分SiC晶粒平均晶�？蛇_(dá)50μm。此外,在Si-碳納米管體系會(huì)形成Ni-Si共晶液相,促進(jìn)其反應(yīng)合成與晶粒生長(zhǎng)發(fā)育。
[Abstract]:Using carbon nanotubes as carbon source, different carbide materials were synthesized by spark plasma sintering reaction with TiOSi and B elements. The phase composition and microstructure of the products were studied. All kinds of carbide materials can be synthesized rapidly by spark plasma sintering. Carbon nanotube agglomeration region is formed in each product. There is a large amount of carbon nanotube residue. BSP 4C in each product and a small amount in SiC product. The grains of carbon nanotubes. Bs4C and SiC are well developed. The grain size of B _ 4C is 75 渭 m, and the average grain size of most SiC grains can reach 50 渭 m. In addition, Ni-Si eutectic liquid phase is formed in Si-carbon nanotube system, which promotes the reaction synthesis and grain growth.
【作者單位】： 中原工學(xué)院材料與化工學(xué)院;金剛石技術(shù)國(guó)家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：鄭州市國(guó)際科技合作與交流項(xiàng)目(153PGJHZ209) 河南省高校創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目(15IRTSTHN004) 河南省省院科技合作項(xiàng)目(142106000193) 河南省教育廳自然科學(xué)研究計(jì)劃項(xiàng)目資助(14A430007) 河南省科技開放合作項(xiàng)目(142106000051) 鄭州市人才引育項(xiàng)目(141PRCYY514)
【分類號(hào)】：TQ174.6

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