發(fā)布時(shí)間：2018-03-02 09:24

  本文關(guān)鍵詞： 氮化硅 催化氮化 鎳納米顆粒 密度泛函理論　出處：《硅酸鹽學(xué)報(bào)》2017年01期 　論文類(lèi)型：期刊論文

【摘要】：采用化學(xué)原位還原法將Ni納米顆粒均勻負(fù)載于Si粉表面,研究了Ni納米催化劑用量對(duì)不同溫度(1 200~1400℃)時(shí)Si粉的氮化行為的影響及Si_3N_4粉體的形成及機(jī)理。結(jié)果表明:含2%(質(zhì)量分?jǐn)?shù),下同)Ni納米催化劑的樣品1 350℃氮化2 h后,其中殘留的Si含量?jī)H為3%;Ni納米催化劑的引入可以有效地促進(jìn)Si_3N_4晶須的生成;密度泛函理論計(jì)算表明,Ni納米顆粒催化劑可以促進(jìn)N_2分子在較低溫度下解離為N原子,進(jìn)而加快了Si粉的氮化。
[Abstract]:The Ni nanoparticles were uniformly loaded on the surface of Si powder by chemical in situ reduction method. The effect of the amount of Ni nanometer catalyst on nitridation behavior of Si powder at different temperatures (1 200 ~ 1 400 鈩，

本文編號(hào)：1555934