發(fā)布時間：2018-02-22 18:33

  本文關鍵詞： 離子注入 氮化鈦 摩擦 磨損 鎢離子 鉬離子　出處：《表面技術》2017年06期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：目的進一步改善氮化鈦薄膜的摩擦學性能。方法利用金屬蒸汽真空弧源(MEVVA)在離子鍍TiN薄膜表面進行等劑量W、Mo離子注入。采用掃描俄歇系統(tǒng)、光學三維形貌儀、X射線衍射儀和納米壓痕儀,分別分析了TiN薄膜的離子注入深度、表面形貌及粗糙度、相結構和不同壓入深度的薄膜硬度。在球盤滑動摩擦磨損試驗機上考察了TiN薄膜的摩擦學性能,并利用掃描電子顯微鏡和三維形貌儀對其磨損形貌進行分析。結果等劑量離子注入后,TiN表面注入層中W離子的含量明顯大于Mo離子,兩種離子注入對TiN薄膜的表面形貌和硬度的影響較小。XRD結果表明,W離子和Mo離子注入后均發(fā)現了Ti_2N硬質相。兩種離子注入均可以不同程度地降低TiN薄膜的摩擦系數和磨損率。結論 W、Mo離子注入均可顯著改善TiN薄膜的摩擦學性能,但Mo離子更有利于其摩擦系數的降低,而W離子注入更有利于TiN薄膜磨損率的降低。
[Abstract]:Aim to further improve the tribological properties of titanium nitride thin films. Methods Metallic vapor vacuum arc source (MEVVA) was used to implanted TiN films with equal doses of Wimo ions. Scanning Auger system was used to study the tribological properties of titanium nitride films. The depth of ion implantation, surface morphology and roughness of TiN films were analyzed by X-ray diffractometer and nano-indentation instrument. The tribological properties of TiN films were investigated on a ball disk sliding friction and wear tester with different indentation depth and phase structure. The wear morphology of tin was analyzed by scanning electron microscope (SEM) and three-dimensional topography. Results the W ion content of tin implanted layer was obviously higher than that of Mo ion after iso-dose ion implantation. The effect of two kinds of ion implantation on the surface morphology and hardness of TiN thin films is small. The results show that both W and Mo ions have found Ti_2N hard phase after implantation. Both of them can reduce the friction system of TiN thin films to some extent. Conclusion the tribological properties of TiN films can be significantly improved by Wimo ion implantation. But Mo ion is more favorable to the decrease of friction coefficient, and W ion implantation is more favorable to decrease the wear rate of TiN film.
【作者單位】： 北京工商大學材料與機械工程學院;中國地質大學(北京)工程技術學院;
【基金】：國家自然科學基金面上項目(41572362) 北京市教育委員會科技計劃一般項目(SQKM201710011002) 中央高�；究蒲袠I(yè)務費優(yōu)秀教師研究項目(2652015077) 高等學校博士學科點專項基金資助課題(20130022110004)~~
【分類號】：TB383.2;TQ134.11

【相似文獻】

相關期刊論文 前8條

1 王承遇，王波，陶瑛;玻璃中離子注入的進展[J];玻璃與搪瓷;1996年04期

2 陳慶望，李濟民，梁東祺;離子注入法制備超薄氚源[J];原子能科學技術;1996年01期

3 王承遇;玻璃中離子注入研究的現狀與發(fā)展趨勢[J];硅酸鹽學報;2001年05期

4 王承遇,楊時標,馮守華;鉭離子注入對鋰硅酸鹽電極玻璃電性質的影響[J];硅酸鹽通報;1997年06期

5 顧有松,潘禮慶,趙敏學,常香榮,王振軍,田中卓,肖紀美,胡仁元;離子注入法制備β-C_3N_4的研究[J];自然科學進展;1997年01期

6 張通和,吳瑜光;鉬離子注入硅薄層硅化鉬的合成[J];核技術;2000年09期

7 崔相旭，劉玉梅，喬明勇，，高玉芹, 史維東，王茹，張慶瑜;Ar，Ti離子注入Si_3N_4表面改性的研究[J];硅酸鹽學報;1994年06期

8 ;[J];;年期

本文編號：1525019