本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【論文】ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝

ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝_專業(yè)資料。介紹了化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)在大規(guī)模...和銅的化學(xué)機(jī)械拋光常用分析機(jī)理,并簡(jiǎn)單介紹了各種互聯(lián)材料常用的拋光液及拋光液...

多層互連工藝中銅布線化學(xué)機(jī)械拋光研究進(jìn)展

多層互連工藝中銅布線化學(xué)機(jī)械拋光研究進(jìn)展陳蘇,張楷亮,宋志棠,封松林(中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所半導(dǎo)體功能薄膜工程技術(shù)研究中心,上海200050)摘要:對(duì)ULSI...

ULSI制備中多層布線導(dǎo)體銅的拋光液與拋光技術(shù)的研究_專業(yè)資料

ULSI制備中多層布線導(dǎo)體銅的拋光液與拋光技術(shù)的研究_專業(yè)資料。提出了在堿性漿料中ULSI多層布線導(dǎo)體銅化學(xué)機(jī)械拋光的模型,對(duì)銅CMP所需達(dá)到的平面化、選擇性、拋光速率...

【論文】用于ULSI銅布線的化學(xué)機(jī)械拋光分析

對(duì)ULSI中多層金屬銅布線的CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)進(jìn)行了理論分析,介紹了Cu-CMP模型與機(jī)理及其去和學(xué)過(guò)程,拋光液的種類及其存在的問(wèn)題,并對(duì)Cu-CMP的研究作了進(jìn)一步探討。...

ULSI制造中銅CMP拋光液的技術(shù)分析

對(duì) ULSI 制造中的層間介質(zhì)化學(xué)機(jī)械拋光的發(fā)展趨勢(shì)和...采用銅 CMP 的大馬士革鑲嵌工藝是唯一成功 運(yùn)用到 IC...130 nm 節(jié)點(diǎn) 的多層金屬互連為 7～8 層 , 90 ...

ULSI制造中銅CMP拋光液研究

ULSI 制造中的層間介質(zhì)化學(xué)機(jī)械拋光的發(fā)展趨勢(shì)和要求...130nm 節(jié)點(diǎn)的 多層金屬互連層為 8～9層, 65nm為...了解這些 差異對(duì)于設(shè)計(jì)和理解銅 CMP 工藝有著重要作用...

ULSI多層銅布線CMP影響因素分析研究

ULSI多層銅布線CMP影響因素分析研究_計(jì)算機(jī)硬件及網(wǎng)絡(luò)...研究了 $%&’ 多層互連工藝中銅布線的 ()* 的...甚大規(guī)模集成 $ 化學(xué)機(jī)械拋光 $ 銅布線 $ 拋光液...

銅布線化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)分析

ULSI制備中銅布線化學(xué)機(jī)... 6頁(yè) 免費(fèi) 多層互連工藝...制造的關(guān)鍵平坦化工藝 ——— 銅化學(xué)機(jī)械拋光 ( CM...2014年移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)O2O分析報(bào)告 休閑農(nóng)莊項(xiàng)目可行性研究...

集成電路工藝第九章:化學(xué)機(jī)械拋光

米集成電路工藝的主要平坦化技術(shù)。 沒(méi)有CMP就沒(méi)有 沒(méi)有CMP就沒(méi)有ULSI芯片。 ...粘著力對(duì)化學(xué)機(jī)械拋光芯... 5頁(yè) 免費(fèi) 多層互連工藝中銅布線化... 6頁(yè) 免費(fèi)...

ULSI化學(xué)機(jī)械拋光_CMP_材料去除機(jī)制模型

ULSI化學(xué)機(jī)械拋光 ( CMP) 材料去除機(jī)制模型鐘 張楷...CM P已成為 IC 制造中的關(guān)鍵工藝之一 , 相關(guān)機(jī)制...集成度提高而導(dǎo)致的 多層布線數(shù)目的增加以及新型材料...

【論文】適于ULSI的一種新的銅的CMP拋光液

于甚大規(guī)模集成電路(ULSI)制備中銅互連線技術(shù)的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的新型拋光液...ULSI多層銅布線CMP影響因... 17人閱讀 5頁(yè) 2.00 銅CMP中工藝參數(shù)對(duì)拋光...

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