本文關(guān)鍵詞：ULSI多層互連中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《復(fù)旦大學(xué)》 2011年

化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）對(duì)電特性影響的分析與優(yōu)化

姜霖  

【摘要】：集成電路進(jìn)入納米時(shí)代,集成電路設(shè)計(jì)技術(shù)和制造技術(shù)聯(lián)系緊密。在芯片制造和良率逐漸觸及物理瓶頸的今天,集成電路制造技術(shù)在不斷挑戰(zhàn)人類工程技術(shù)的極限,并產(chǎn)生了一個(gè)新的領(lǐng)域---可制造性設(shè)計(jì)技術(shù)�？芍圃煨约夹g(shù)的兩個(gè)關(guān)鍵問題是光刻和化學(xué)機(jī)械研磨。在考慮這些變化因素下,通過增添設(shè)計(jì)流程,優(yōu)化算法和版圖結(jié)構(gòu),使得芯片可制造性和成品率提高。 隨著現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路(VLSI)的不斷發(fā)展,互連線對(duì)時(shí)序的影響也越來越大。在SoC(片上系統(tǒng))設(shè)計(jì)中,對(duì)性能和功耗的要求也在不斷的增加。但在CMP過程中,金屬密度的不均勻?qū)е陆饘俸穸鹊钠鸱?產(chǎn)生碟形,磨損。在進(jìn)行多金屬層芯片的制造過程中,密度不均勻?qū)е碌牟黄教够瘜?duì)第一、第二金屬層的影響并不顯著,但由于不平坦化效應(yīng)的疊加,在越來越高的金屬層,就可能出現(xiàn)短路、斷路等不希望出現(xiàn)的結(jié)果,從而影響整個(gè)電路的運(yùn)行。因此需要進(jìn)行冗余金屬填充來調(diào)節(jié)金屬的密度,使其達(dá)到一致,以此來改善金屬表面的平坦性,但另一方面,冗余金屬的填充會(huì)增加互連電容,互連電阻,信號(hào)延遲以及功耗的增加等一系列問題。 研究冗余金屬填充的目的就是為了降低這些寄生參數(shù),使其對(duì)電路的性能影響最小,在實(shí)現(xiàn)平坦化的同時(shí)使電路的性能不受較大影響,從而可以進(jìn)行多層金屬的制造,這樣可以大幅降低生產(chǎn)的成本,極大的提高芯片廠的成品率和經(jīng)濟(jì)效益。 本文關(guān)注的是冗余金屬對(duì)互連線之間耦合電容的影響,重點(diǎn)研究起主要作用的是冗余金屬的形狀,面積,擺放位置,還是其與互連線的對(duì)應(yīng)邊長。本文從對(duì)互連線影響和改善平坦化方面對(duì)冗余金屬進(jìn)行研究,提出一系列的填充策略,降低冗余金屬帶來的耦合電容的增加,以達(dá)到平整度和電性能的最優(yōu)化。

【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：復(fù)旦大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2011
【分類號(hào)】：TN402
【目錄】：

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