低能氫負(fù)離子激發(fā)石英玻璃發(fā)光
本文關(guān)鍵詞: 負(fù)離子 石英玻璃 發(fā)光 羥基 缺陷 出處:《中國(guó)表面工程》2017年04期 論文類型:期刊論文
【摘要】:為研究材料輻照損傷的產(chǎn)生機(jī)制和缺陷的實(shí)時(shí)演變過(guò)程,在GIC4117串列加速器原有的低能負(fù)離子注入平臺(tái)基礎(chǔ)上加裝光譜測(cè)量系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)具有"charge-up free"優(yōu)點(diǎn)的負(fù)離子激發(fā)發(fā)光在線測(cè)量。利用20 ke V H-轟擊羥基含量為20μg/g,1 100μg/g的石英玻璃測(cè)量其發(fā)射光譜,研究離子束輻照前后樣品的吸收光譜。離子轟擊過(guò)程中,發(fā)光中心數(shù)目隨劑量先增加后緩慢衰減至平衡狀態(tài);藍(lán)色和紅色波段發(fā)光峰發(fā)光產(chǎn)額比可能受表面結(jié)構(gòu)的影響穩(wěn)定在3~4之間,低于Me V H+激發(fā)產(chǎn)額比。輻照前后吸收光譜反映的缺陷濃度變化與離子激發(fā)石英玻璃光譜強(qiáng)度變化一致。羥基含量較高的石英玻璃,發(fā)射光譜強(qiáng)度較低,吸收光譜強(qiáng)度輻照前后相對(duì)變化較小,對(duì)應(yīng)產(chǎn)生的弗倫克爾缺陷數(shù)目較少。
[Abstract]:In order to study the mechanism of radiation damage and the evolution of defects in real time, a spectrum measurement system was installed on the basis of the low energy negative ion implantation platform of GIC4117 tandem accelerator. On-line measurement of anion excited luminescence with the advantage of "charge-up free" was realized. The hydroxyl content was 20 渭 g / g by 20ke V H- bombardment. The emission spectra of 1 100 渭 g / g quartz glass were measured and the absorption spectra of the samples before and after ion beam irradiation were studied. The luminescence yield ratio of blue and red band luminescence peaks may be stabilized in the range of 3 ~ 4 due to the influence of surface structure. The change of defect concentration reflected by absorption spectrum before and after irradiation is consistent with the change of spectral intensity of ion-excited quartz glass, and the content of hydroxyl group is higher than that of quartz glass with higher hydroxyl content. The intensity of emission spectrum is low, the relative change of absorption spectrum intensity is relatively small before and after irradiation, and the corresponding number of Frenkel defects is less.
【作者單位】: 北京師范大學(xué)核科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;北京市輻射中心;
【基金】:北京市自然科學(xué)基金(1142006)~~
【分類號(hào)】:TQ171.1
【正文快照】: 離子激發(fā)發(fā)光(Ion beam induced luminescence,IBIL)是探測(cè)離子輻照過(guò)程中材料原子外層電子激發(fā)躍遷產(chǎn)生的發(fā)射光譜,反映了材料中的化學(xué)鍵信息,可實(shí)時(shí)研究材料本身及輻照過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷種類、結(jié)構(gòu)及其隨輻照劑量的演變情況,在CHU Y J,QIU M L,XU M,et al.Negative hydrogen
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,本文編號(hào):1469922
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