本文關鍵詞： 納米線網(wǎng) CVD 無催化劑 橫向生長　出處：《稀有金屬材料與工程》2017年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用硅襯底電極無催化劑制備橫向ZnO納米線,實現(xiàn)了二維氧化鋅納米線網(wǎng)電路的制備。本研究涉及的技術一方面可以為突破納電子器件制備極限提供新技術參考;另一方面,去除了納米線生長過程中的金催化劑污染,降低成本,簡化工藝。
[Abstract]:Transverse ZnO nanowires were prepared by using silicon substrate electrode without catalyst. The fabrication of two-dimensional ZnO nanowire network circuit is realized. On the one hand, the technology involved in this study can provide a new technical reference for breaking through the fabrication limit of nanoscale electronic devices. On the other hand, the pollution of gold catalyst during nanowire growth is removed, the cost is reduced, and the process is simplified.
【作者單位】： 西北工業(yè)大學;焦作師范高等專科學校;
【基金】：the Natural Science Basic Research Plan in Henan Province(162300410080)
【分類號】：TB383.1;TQ132.41
【正文快照】： As a promising semiconductor,Zn O,has a large excitoncatalyst-free growth of Zn O nanowires network directly onbinding energy of 60 meV,and a wide band gap of 3.4 e V atSi O2/Si wafer with the independent designed nanometerroom temperature,high mechanica

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1 張路f，

本文編號：1458018