本文關(guān)鍵詞：應(yīng)用VASP分析含氧碳化硅的拉伸性能　出處：《原子能科學(xué)技術(shù)》2016年05期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： VASP 含氧碳化硅 拉伸強(qiáng)度 楊氏模量

【摘要】：利用VASP模擬了含氧碳化硅晶體的理想拉伸過程,研究間隙位氧原子和替換位氧原子對(duì)碳化硅機(jī)械性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)摻氧碳化硅的應(yīng)力-應(yīng)變曲線在峰值之后出現(xiàn)突然下降,說明含氧碳化硅的機(jī)械性能發(fā)生了變化。同時(shí)還分析了不同摻氧方式碳化硅模型的拉伸強(qiáng)度和楊氏模量,結(jié)果顯示,含氧碳化硅的拉伸強(qiáng)度和楊氏模量均有不同程度的減弱。
【作者單位】： 華北電力大學(xué)核科學(xué)與工程學(xué)院;三峽大學(xué)機(jī)械與動(dòng)力學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(91326108) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(2014XS63)
【分類號(hào)】：TQ163.4
【正文快照】： 碳化硅(SiC)具有中子吸收截面低、高溫強(qiáng)度大、耐腐蝕性能良好及輻照穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn),使其成為第4代反應(yīng)堆某些關(guān)鍵部位的重要候選材料。特別是高溫氣冷堆的設(shè)計(jì)出口溫度達(dá)到1 000℃,在極端的操作環(huán)境下,SiC陶瓷和石墨是燃料包殼的首選材料。在高溫高壓和強(qiáng)輻射損傷下仍能保持

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