本文關(guān)鍵詞：PEALD沉積溫度對AlN的結(jié)構(gòu)和表面特性的影響（英文）

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【摘要】：研究通過等離子增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)在不同沉積溫度下生長的Al N溫度對其特性的影響。前驅(qū)體是NH3和TMA,在300℃、350℃和370℃沉積溫度下分別沉積了200、500、800、1 000、1 500周期的Al N層,并討論了Al N薄膜的生長速率、結(jié)晶化和表面粗糙度。結(jié)果表明,在300~370℃范圍內(nèi),隨著溫度的上升薄膜的沉積速率和結(jié)晶化增加,而薄膜表面粗糙度減小。
【作者單位】： 長春理工大學(xué)光電工程學(xué)院高功率半導(dǎo)體激光國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(61076039,61204065,61205193,61307045) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(20112216120005) 吉林省科技發(fā)展計(jì)劃(20121816,201201116) 高功率半導(dǎo)體激光國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(9140C310101120C031115)
【分類號】：TQ133.1
【正文快照】： 0.8 s and NH3for 10 s while the purge times after the0 IntroductionTMA and NH3pulses were 3 and 1 s,respectively.Plasma power was set to 300 W and turned on beforeGood thermal conductivity and high band gapthe NH3pulse and off before TMA pulse in eachmak

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本文編號：1300982