發(fā)布時(shí)間：2017-12-14 13:26

  本文關(guān)鍵詞：SiN薄膜納米孔芯片制造工藝實(shí)驗(yàn)研究

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【摘要】：針對(duì)第3代基因測(cè)序的需求,提出一種大規(guī)模的氮化硅薄膜納米孔芯片制造技術(shù).通過(guò)測(cè)量不同膜厚氮化硅薄膜的應(yīng)力,選擇適用于納米孔制造的最佳厚度為100 nm.采用低壓化學(xué)氣相沉積、反應(yīng)離子刻蝕和釋放工藝制備出高成品率的氮化硅納米薄膜芯片.在此基礎(chǔ)上,使用聚焦離子束和高能電子束實(shí)現(xiàn)氮化硅薄膜納米孔的制造.研究聚焦離子束刻蝕時(shí)間、電流與納米孔直徑的關(guān)系.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,采用聚焦離子束將氮化硅薄膜的厚度減薄至40 nm以下時(shí),制作納米孔的效果更好.采用聚焦離子束制造的氮化硅薄膜納米孔最小直徑為26 nm,而采用電子束制備的最小直徑可達(dá)3.5 nm.該方法為基于固體納米孔的DNA測(cè)序檢測(cè)提供了有力的支撐.
【作者單位】： 東南大學(xué)江蘇省微納生物醫(yī)療器械設(shè)計(jì)與制造重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;廣東工業(yè)大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;東南大學(xué)MEMS教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51435003,51375092,51302037)
【分類號(hào)】：TQ127.2;TB383.1
【正文快照】： (1Jiangsu Key Laboratory for Design and M anufacture of M icro-Nano Biomedical Instruments,Southeast University,Nanjing 211189,China)(2School of Electro-mechanical Engineering,Guangdong University of Technology,Guangzhou 510006,China)(3Key Laboratory of

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