本文關(guān)鍵詞：保溫時間對定向凝固法提純多晶硅的影響

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【摘要】：本文采用#3303工業(yè)硅作為定向凝固的原料提純多晶硅錠。實驗過程中保持拉錠速度和冷卻水流量為常數(shù),并分別以不同的保溫時間作為試驗參數(shù)進行實驗。采用金相顯微鏡(Metalloscope)和掃描電子顯微鏡(SEM)對硅錠微觀形貌進行表征,結(jié)果顯示,硅錠的底部雜質(zhì)含量最少。定向凝固過程中雜質(zhì)從硅錠的底部朝著硅錠的頂部方向聚集。用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法(ICP-AES)對硅錠雜質(zhì)含量進行分析,結(jié)果顯示,效果最好的實驗保溫時間是30分鐘,并由此可以推斷保溫時間越長,硅錠中的雜質(zhì)含量越少。
【作者單位】： 佛山職業(yè)技術(shù)學院電子信息系;華南師范大學化學與環(huán)境學院;
【基金】：廣東省高等職業(yè)教育教學改革立項資助項目(20130301002)
【分類號】：TQ127.2
【正文快照】： 1引言目前,國內(nèi)外主要的多晶硅提純技術(shù)主要為改良西門子法[1],但是西門子法也有明顯的缺點,比如耗能大、對環(huán)境污染比較嚴重等。為了克服西門子法的缺點,很多人開始轉(zhuǎn)向?qū)ふ倚碌奶峒兎椒?比如定向凝固法[2]。由于定向凝固法耗能少、對環(huán)境友好,可以很好地去除多晶硅中的金屬

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本文編號：1229469