本文關(guān)鍵詞：表面改性對氧化鋅納米棒微結(jié)構(gòu)、磁性及光學(xué)性能的影響

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【摘要】：氧化鋅(ZnO)納米棒是在納米科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域中極具發(fā)展?jié)摿Φ囊环N納米材料。由于在發(fā)光材料、磁性半導(dǎo)體材料、催化劑、傳感器等方面具有優(yōu)異的性能和巨大的市場需求,有關(guān)氧化鋅(ZnO)納米棒材料的研究亦然十分活躍,ZnO納米棒的發(fā)光性質(zhì)和磁性與ZnO納米棒的表面結(jié)構(gòu)關(guān)系密切,對ZnO納米棒進(jìn)行表面修飾,不僅可以有效地調(diào)節(jié)其表面結(jié)構(gòu),改善其相關(guān)性能,而且有助于深入理解相關(guān)物理機(jī)制。本文利用薄層二硫化鉬(MoS_2)和MoO_x對ZnO納米棒進(jìn)行表面修飾,系統(tǒng)研究了修飾對ZnO納米棒微結(jié)構(gòu)、光致發(fā)光性質(zhì)和磁性的影響,主要內(nèi)容如下所示:(1)采用了水熱法制備ZnO納米棒,化學(xué)氣相沉積法制備MoS_2納米片。(2)本文嘗試通過表面改性方法對ZnO納米棒的微結(jié)構(gòu)、磁學(xué)及光致發(fā)光等性能進(jìn)行探究,制備了ZnO-MoS_2核殼材料并分析其變化規(guī)律。透射電子顯微鏡和拉曼光譜測試證實(shí)了薄層MoS_2的存在。ZnO-MoS_2核殼納米材料中薄層MoS_2的拉曼峰間距驗(yàn)證了ZnO納米棒上沉積的MoS_2樣品的層厚為0.63nm,層數(shù)為3層。(3)ZnO納米棒的紫外發(fā)光峰強(qiáng)度減弱,其原因可能與MoS_2修飾對ZnO表面結(jié)構(gòu)的損傷、光生載流子的分離以及MoS_2對紫外光的吸收等原因有關(guān);ZnO納米棒的可見光發(fā)光峰強(qiáng)度略有降低,說明MoS_2修飾對ZnO納米棒中氧空位、氧缺陷等的影響比較小。經(jīng)薄層MoS_2修飾后,ZnO納米棒樣品中出現(xiàn)了新的可見光發(fā)光峰,其可能來源于2ZnO-MoS之間的界面。經(jīng)薄層MoS_2修飾后,室溫下ZnO納米棒樣品的磁矩沒有因MoS_2發(fā)生明顯變化,說明薄層MoS_2的磁性很弱。(4)與商品MoS_2粉體相比,經(jīng)薄層MoS_2修飾后的ZnO納米棒對黑索金炸藥(RDX)有不錯的靈敏度,可以用于探測RDX物質(zhì)的含量。(5)與薄層MoS_2修飾相比,MoO_x表面修飾后,ZnO中Zn的X射線光電子能譜向低結(jié)合能方向移動了0.3eV,表面形貌發(fā)生了較大變化(從六棱柱形狀變?yōu)樯徟盒螤?。MoO_x表面修飾后,ZnO納米棒的位于378nm處的紫外發(fā)光峰強(qiáng)度降低。
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TQ132.41;TB383.1

【參考文獻(xiàn)】

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1 Sandeep K.S.Patel;Khemchand Dewangan;N.S.Gajbhiye;;Synthesis and Room Temperature d~o Ferromagnetic Properties of α-MoO_3 Nanofibers[J];Journal of Materials Science & Technology;2015年05期

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本文編號：1183604