發(fā)布時(shí)間：2017-11-09 02:00

  本文關(guān)鍵詞：γ射線輻照對(duì)MgO單晶的點(diǎn)缺陷組態(tài)及磁性的影響

  更多相關(guān)文章： γ射線輻照 MgO單晶 點(diǎn)缺陷 漫散射 d鐵磁性

【摘要】：對(duì)(100)取向的MgO單晶進(jìn)行了不同劑量的60Coγ射線輻照,輻照劑量從30 kGy到1 750 kGy。利用同步輻射漫散射技術(shù)以及紫外-可見吸收光譜研究了輻照樣品的點(diǎn)缺陷情況,并將實(shí)驗(yàn)測量的漫散射結(jié)果與理論計(jì)算結(jié)果進(jìn)行比對(duì),以獲得點(diǎn)缺陷組態(tài)的信息。利用超導(dǎo)量子干涉儀(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID)測量了樣品在不同溫度下的磁性質(zhì)。漫散射和吸收光譜的實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,經(jīng)γ射線輻照的MgO單晶產(chǎn)生了陰離子弗倫克爾缺陷,并在室溫下沒有表現(xiàn)出鐵磁性,只是在低溫下觀察到了順磁信號(hào),且輻照前后樣品在零場冷卻和加場冷卻下的M-T曲線沒有變化,說明陰離子空位沒有導(dǎo)致MgO的d0鐵磁性。
【作者單位】： 南京理工大學(xué)理學(xué)院應(yīng)用物理系軟化學(xué)與功能材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;蘇州工業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院;杭州電子科技大學(xué)材料物理研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(No.U1332106、No.11604067)資助~~
【分類號(hào)】：TQ132.2;O77
【正文快照】： 2004年,Venkatesan等[1]在沒有摻雜的Hf O2薄膜中發(fā)現(xiàn)高溫鐵磁性。需要指出的是,在Hf O2中沒有摻雜磁性離子,Hf離子自身不存在未配對(duì)的d電子或f電子,而且Hf O2塊體樣品是抗磁性的。人們因此而提出了d0鐵磁性這一概念[2-3],這挑戰(zhàn)了人們對(duì)于鐵磁性理論的原有認(rèn)知。而后相繼在Ti

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 黃傳輝;劉慶華;張磊;王慶良;;γ射線輻照交聯(lián)超高分子量聚乙烯的摩擦學(xué)性能[J];徐州工程學(xué)院學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2010年03期

2 李世清，，彭治林，戴益群，劉皓，謝洪泉;聚苯胺及其導(dǎo)電復(fù)合膜的γ射線輻照[J];核技術(shù);1996年04期

3 ;[J];;年期

本文編號(hào)：1159773