本文關(guān)鍵詞：石墨烯應用于GaN基材料的研究進展

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【摘要】：石墨烯具有優(yōu)異的光學、電學、機械等特性,被視為新型材料的突破口;GaN基材料具有直接寬禁帶、熱穩(wěn)定性強、高功率等性質(zhì),已經(jīng)成為"繼硅之后最重要的半導體材料"。將石墨烯與GaN基寬禁帶半導體材料相結(jié)合,發(fā)揮兩種材料體系的優(yōu)勢,將為光電子、微電子器件的發(fā)展帶來新的契機。關(guān)于石墨烯與GaN基材料相結(jié)合的研究目前已經(jīng)有所突破,本文簡要概述了近年來石墨烯與GaN基材料接觸機理方面和石墨烯應用于GaN基材料器件方面的進展狀態(tài)。
【作者單位】： 發(fā)光學及應用國家重點實驗室中國科學院長春光學精密機械與物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 石墨烯 GaN材料 石墨烯GaN接觸
【基金】：國家自然科學基金(61204070)資助項目
【分類號】：TQ133.51
【正文快照】： 1引言Ga N基材料屬于寬禁帶直接帶隙半導體材料,鍵合能很大,具有良好的化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。理論上,Ga N可以與Al N、In N等形成組分連續(xù)可變的三元固溶體合金AlxGa1-xN、InxGa1-xN和四元固溶體合金AlxInyGa1-x-yN。其禁帶寬度在0.7~6.2 e V連續(xù)可調(diào),對應的波長從近紅外覆蓋

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